[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

多层配线层，形成于半导体基板上；

第1焊盘电极，形成于所述多层配线层中的最上层的配线层；

第1绝缘膜，形成为覆盖所述第1焊盘电极，并且由无机材料构成；

第1有机绝缘膜，形成于所述第1绝缘膜上；

第1开口部，设置在所述第1有机绝缘膜中和所述第1绝缘膜中，并且形成为到达所述第1焊盘电极；

第1阻挡金属膜，形成于所述第1有机绝缘膜上，并且经由所述第1开口部与所述第1焊盘电极连接；以及

第1导电膜，形成于所述第1阻挡金属膜上，

在所述第1有机绝缘膜的上表面，在所述第1阻挡金属膜与所述第1有机绝缘膜之间，形成有由无机材料构成的第2绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第1开口部内的所述第1有机绝缘膜的侧面，在所述第1阻挡金属膜与所述第1有机绝缘膜之间，形成有所述第2绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1焊盘电极包含第2导电膜以及形成于所述第2导电膜上的第2阻挡金属膜，

在所述第1开口部的底面，去除所述第2阻挡金属膜而所述第1阻挡金属膜与所述第2导电膜直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

形成有多个具有所述第1阻挡金属膜和所述第1导电膜的再配线，

在相邻的所述再配线间的所述第1有机绝缘膜的上表面，未形成所述第1有机绝缘膜与所述第1阻挡金属膜的反应生成物。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

以覆盖所述多个再配线的方式，在所述第1有机绝缘膜上形成有第2有机绝缘膜，

在相邻的所述再配线间的区域中，去除所述第2绝缘膜而所述第1有机绝缘膜与所述第2有机绝缘膜直接接触。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1有机绝缘膜由聚酰亚胺构成，

所述第1阻挡金属膜由包含钛、钽或铬的材料构成，

所述第1导电膜由以铜为主成分的材料构成，

所述第2绝缘膜由包含氧化硅或氮化硅的材料构成。

7.一种半导体装置的制造方法，具有：

a工序，准备半导体基板、形成于所述半导体基板上的多层配线层、形成于所述多层配线层中的最上层的配线层的第1焊盘电极以及形成为覆盖所述第1焊盘电极且由无机材料构成的第1绝缘膜；

b工序，在所述第1绝缘膜上形成第1有机绝缘膜；

c工序，在所述第1有机绝缘膜上形成由无机材料构成的第2绝缘膜；

d工序，在所述第2绝缘膜上形成第1抗蚀图案；

e工序，通过将所述第1抗蚀图案作为掩膜进行蚀刻处理，来选择性地去除位于所述第1焊盘电极上的所述第2绝缘膜；

f工序，在所述e工序之后，去除所述第1抗蚀图案和位于所述第1焊盘电极上的所述第1有机绝缘膜；

g工序，在所述f工序之后，通过在残留有所述第2绝缘膜的状态下进行蚀刻处理，来选择性地去除位于所述第1焊盘电极上的所述第1绝缘膜，形成到达所述第1焊盘电极的第1开口部；

h工序，在所述第2绝缘膜上和所述第1开口部内，形成与所述第1焊盘电极连接的第1阻挡金属膜；

i工序，在所述第1阻挡金属膜上形成第2抗蚀图案；以及

j工序，在从所述第2抗蚀图案露出的区域中，通过镀敷法在所述第1阻挡金属膜上形成第1导电膜。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第2绝缘膜由与所述第1绝缘膜不同的材料构成。