[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其提高具有再配线的半导体装置的可靠性或性能。本发明的半导体装置及其制造方法包含形成于多层配线层中的最上层的配线层的第1焊盘电极(PD1)、形成于第1焊盘电极(PD1)上的第1绝缘膜(IF1)及形成于第1绝缘膜(IF1)上的第1有机绝缘膜(PIQ1)。另外，半导体装置及其制造方法包含形成于第1有机绝缘膜(PIQ1)上且与第1焊盘电极(PD1)连接的阻挡金属膜(BM3)及形成于阻挡金属膜(BM3)上的导电膜(MF1)。在第1有机绝缘膜(PIQ1)的上表面，在第1阻挡金属膜(BM3)与第1有机绝缘膜(PIQ1)之间，形成有由无机材料构成的第2绝缘膜(IF2)。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法，例如，能够在具有再配线的半导体装置及其制造方法中利用。

背景技术

近年来，由于半导体装置的动作的高速化和小型化等的要求，使用形成于作为半导体基板上的多层配线层的最上层配线的一部分的第1焊盘电极上的、被称为再配线的配线。关于再配线，为了降低其配线电阻，主要使用例如通过镀敷法形成的厚的铜膜来构成。再配线的上表面的一部分为用于与由凸块电极或键合线等构成的外部连接用的端子连接的区域，构成第2焊盘电极。并且，第2焊盘电极与印刷电路基板等电连接。

例如，在专利文献1(日本特开2009-194144号公报)中记载有在多层配线层上形成再配线的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-194144号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在使用再配线的半导体装置中，为了保护构成电路的配线不受水分等的影响，形成聚酰亚胺等的有机绝缘膜。另外，再配线由主要以铜为主体的导电膜和形成于该导电膜与有机绝缘膜之间的阻挡金属膜构成。但是，在相邻的再配线之间的区域中，有时在制造工序中阻挡金属膜没有被完全去除而残留在有机绝缘膜上。其结果是，通过本发明人的研究可知，会产生相邻的再配线间的漏电，或者产生相邻的再配线间的HAST试验(HighlyAccelerated Temperature and Humidity Stress Test：高速加温和加湿的应力试验)下的寿命劣化的问题。

另外，会产生阻挡金属膜的材料与有机绝缘膜的材料发生反应，从而在阻挡金属膜中包含高电阻的导电物的问题，存在再配线整体的电阻增加的问题。

另外，由于再配线周边的层间绝缘膜构造使用聚酰亚胺等的有机绝缘膜，因此柔软且再配线的机械强度弱。因此，例如存在如下问题：由于在再配线上形成键合线时的冲击、或者将形成于再配线上的凸块电极安装到配线基板等时的冲击，再配线变形或者在再配线上容易产生裂缝。

其他课题与新的特征将根据本说明书的叙述以及附图变得明确。

用于解决课题的技术方案

简单说明在本申请中公开的实施方式中的代表性的实施方式的概要，如下所述。

关于作为一个实施方式的半导体装置及其制造方法，包含形成于多层配线层中的最上层的配线层的第1焊盘电极、形成于第1焊盘电极上的第1绝缘膜以及形成于第1绝缘膜上的第1有机绝缘膜。另外，关于半导体装置及其制造方法，包含形成于第1有机绝缘膜上且与第1焊盘电极连接的第1阻挡金属膜以及形成于第1阻挡金属膜上的第1导电膜。并且，在第1有机绝缘膜的上表面，在第1阻挡金属膜与第1有机绝缘膜之间，形成有由无机材料构成的第2绝缘膜。

发明效果

根据一个实施方式，能够提高半导体装置的可靠性。另外，能够使半导体装置的性能提高。

附图说明

图1是作为实施方式1的半导体装置的俯视图。