[发明专利]一种柔性基板及其制作方法有效
申请号: | 201810239891.4 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN108470849B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 谢明哲;王品凡;杨静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 膜层 薄膜晶体管 承载基板 第一膜层 柔性基板 薄膜封装层 预设条件 粘合度 制作 电致发光层 电学性能 功能膜层 机械分离 激光照射 贴附 预设 去除 照射 激光 损伤 | ||
1.一种柔性基板的制作方法,其特征在于,包括:
在承载基板之上形成第一膜层;
在所述第一膜层之上依次形成薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层;
在所述薄膜封装层之上贴附第二膜层,其中,所述第二膜层为正常状态下粘合度大于所述第一膜层,而在预设条件下粘合度降低的膜层;
将所述第一膜层与所述承载基板机械分离;
在所述预设条件下,去除所述第二膜层。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一膜层的材质为氧化钼 ,所述在承载基板之上形成第一膜层,具体包括:
在所述承载基板之上形成钼 金属层;
对所述钼 金属层氧化,以在所述钼 金属层的背离所述承载基板的一面形成氧化钼层,所述氧化钼 层为所述第一膜层。
3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,在对所述钼 金属层氧化之前,所述制作方法还包括:对所述钼 金属层的位于非显示区的部分进行图案化。
4.如权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述对所述钼 金属层的位于非显示区的部分进行图案化,具体包括:在所述钼 金属层的位于非显示区的部分形成条状通孔,所述条状通孔还做为后续使用掩膜板进行对位时的对位标记。
5.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述第一膜层之上形成薄膜晶体管之前,所述制作方法还包括:在所述第一膜层之上形成无机保护层。
6.如权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述无机保护层的材质为氧化硅和/或氮化硅。
7.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在去除所述第二膜层之前,所述制作方法还包括:在所述第一膜层的背离所述薄膜晶体管的一面贴附底膜保护膜。
8.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第二膜层的材质为四丙氟橡胶,所述在所述预设条件下,去除所述第二膜层,具体包括:
通过紫外光照射所述第二膜层,使之粘合度下降,进而去除所述第二膜层。
9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,在去除所述第二膜层之后,所述制作方法还包括:
将所述柔性基板进行切割成多个子柔性基板;
在各所述子柔性基板之上依次形成触控层、偏光层以及覆盖层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择