[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明涉及一种基板处理装置，其具有聚焦环，该聚焦环包括：设置在处理室内的载置台所载置的基板的附近的内侧聚焦环；设置在上述内侧聚焦环的外侧，通过移动机构而能够上下移动的中央聚焦环；和设置在上述中央聚焦环的外侧的外侧聚焦环。由此，能够维持对基板的面内整体进行的处理的特性，并控制基板的边缘部的处理特性。

技术领域

本发明涉及基板处理装置。

背景技术

在等离子体蚀刻装置中，沿半导体晶片(以下称为“晶片”。)的外周设置有聚焦环(例如参照专利文献1)。聚焦环具有控制晶片的外周附近的等离子体，提高晶片的面内的蚀刻率的均匀性的作用。

晶片的边缘部的蚀刻率依赖于聚焦环的高度而变化。因此，当因聚焦环的消耗而使其高度变动时，难以使晶片的边缘部的蚀刻率高于晶片的中心部、中间部等，以控制晶片的边缘部的蚀刻特性。于是，在专利文献1中，设置有上下驱动聚焦环的驱动机构，控制聚焦环的上表面的位置，提高晶片的边缘部的控制性。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2008-244274号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，在专利文献1中，2分割后的聚焦环中，在内侧的聚焦环被固定的状态下，仅使外侧的聚焦环上下移动。在该机构中，当使外侧的聚焦环上下移动时，晶片整体的蚀刻率发生偏移。因此，晶片整体的蚀刻特性发生变化，难以仅控制晶片的边缘部的蚀刻特性。

对于上述技术问题，在一个方面中，本发明的目的在于一边控制对基板的面内整体进行的处理的特性，一边控制基板的边缘部的处理的特性。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述技术问题，根据一个方式，提供一种基板处理装置，其具有聚焦环，该聚焦环包括：设置在处理室内的载置台所载置的基板附近的侧聚焦环；设置在上述内侧聚焦环的外侧，通过移动机构能够上下移动的中央聚焦环；和设置在上述中央聚焦环的外侧的外侧聚焦环。

发明的效果

根据一个方面，能够一边控制对基板的面内整体进行的处理的特性，一边控制基板的边缘部的处理的特性。

附图说明

图1是表示一实施方式的基板处理装置的一个例子的图。

图2是表示一实施方式的聚焦环、移动机构和驱动部的一个例子的图。

图3是一实施方式的三分割的聚焦环的立体图、平面图和截面图。

图4是用于说明一实施方式的聚焦环的上下的移动的图。

图5是说明一实施方式的聚焦环的直径的图。

图6是表示一实施方式和比较例的聚焦环的蚀刻率的一个例子的图。

图7是说明一实施方式和比较例的聚焦环的等离子体生成的图。

图8是表示变形例的聚焦环、移动机构和驱动部的一个例子的图。

附图标记说明

5：基板处理装置

10：腔室

12：载置台

20：挡板

26：排气装置

30：第二高频电源

36：静电吸盘

38i：内侧聚焦环

38m：中央聚焦环

38m1：环状部