[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板、电子装置有效
申请号: | 201810240944.4 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN108447874B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 金永珉 | 申请(专利权)人: | 绵阳京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 621000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一电极 第二电极 衬底基板 阵列基板 电子装置 显示面板 电绝缘 制造 垂直 | ||
1.一种阵列基板,包括:
衬底基板;
第一电极,在所述衬底基板上;
第二电极,在所述第一电极上且在垂直于所述衬底基板的方向上与所述第一电极至少部分相对;其中,
所述第一电极与所述第二电极电绝缘,所述第一电极和所述第二电极中任一在相对的区域内包括形成第一凹槽的部分,所述第一电极和所述第二电极中另一在相对的区域内包括形成所述第一凹槽的部分,且所述第一电极和所述第二电极中任一的形成所述第一凹槽的部分在垂直于所述衬底基板的方向上与所述第一电极和所述第二电极中另一的形成所述第一凹槽的部分至少部分重叠。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一电极和/或所述第二电极在相对的区域内包括至少两个第一凹槽,所述至少两个第一凹槽彼此并列设置。
3.如权利要求1所述的阵列基板,还包括在所述衬底基板上的绝缘层,其中,所述绝缘层位于所述衬底基板和所述第一电极之间且包括形成在其中的第二凹槽,
所述第一电极的形成所述第一凹槽的部分在垂直于所述衬底基板的方向上与所述绝缘层中的第二凹槽至少部分重叠。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其中,所述绝缘层为叠层结构且包括从所述衬底基板依次层叠的至少两个子绝缘层,所述绝缘层的第二凹槽穿过远离所述衬底基板一侧的至少一个子绝缘层。
5.如权利要求1所述的阵列基板,还包括介电层,其中,
所述介电层设置在所述第一电极和所述第二电极之间且包括形成在其中的第三凹槽;
所述第二电极的形成所述第一凹槽的部分在垂直于所述衬底基板的方向上与所述介电层中的第三凹槽至少部分重叠。
6.如权利要求1-5任一所述的阵列基板,还包括驱动电路结构,其中,所述驱动电路结构包括薄膜晶体管,其中,
所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、源漏极;
所述第一电极与所述有源层、所述栅极、所述源漏极中的任意一个同层设置;
所述第二电极与所述有源层、所述栅极、所述源漏极中另一个同层设置。
7.如权利要求6所述的阵列基板,还包括发光元件,其中,所述发光元件与所述薄膜晶体管的所述源漏极电连接。
8.一种显示面板,包括如权利要求1-7任一所述的阵列基板。
9.一种电子装置,包括如权利要求1-7任一所述的阵列基板。
10.一种阵列基板的制造方法,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一电极;
在所述第一电极上形成第二电极,所述第二电极在垂直于所述衬底基板的方向上与所述第一电极至少部分相对;其中,
所述第一电极与所述第二电极电绝缘,所述第一电极和所述第二电极中任一在相对的区域内包括形成第一凹槽的部分,所述第一电极和所述第二电极中另一在相对的区域内包括形成所述第一凹槽的部分,且所述第一电极和所述第二电极中任一的形成所述第一凹槽的部分在垂直于所述衬底基板的方向上与所述第一电极和所述第二电极中另一的形成所述第一凹槽的部分至少部分重叠。
11.如权利要求10所述的方法,其中,所述第一电极和/或所述第二电极在相对的区域内形成至少两个第一凹槽,所述至少两个第一凹槽彼此并列设置。
12.如权利要求10所述的方法,还包括:
在所述衬底基板上沉积绝缘层薄膜,对所述绝缘层薄膜进行刻蚀以形成包括第二凹槽的绝缘层;其中,
所述第一电极和所述第二电极在所述绝缘层上依次形成;
所述第一电极的形成所述第一凹槽的部分在垂直于所述衬底基板的方向上与所述第二凹槽至少部分重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的