[发明专利]一种覆膜制板方法在审
| 申请号： | 201810241369.X | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108470687A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 黎开明 | 申请（专利权）人： | 江西芯创光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 黄宗熊 |
| 地址： | 343800 江西省吉安市万安县*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载板 烘烤 覆膜 感光胶层 制板 离型膜 表面离型层 曝光显影 三层结构 曝光 板表面 离型层 中间层 放入 胶层 两层 撕掉 显影 治具 焊接 显露 芯片 保留 成功 | ||
1.一种覆膜制板方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、提供一载板，将所述载板表面覆膜，所述膜为三层结构，中间层为感光胶层，其它两层为离型层；覆膜成功后将底部离型膜去掉，保留表面离型膜；
S2、对所述载板上的膜进行曝光；
S3、曝光完成后撕掉表面离型层，将所述载板放入烘烤治具内进行烘烤；
S4、对烘烤后所述载板上的感光胶层进行显影，完成制板。
2.根据权利要求1所述的覆膜制板方法，其特征在于：在步骤S1中，所述膜的厚度介于30μm到70μm之间。
3.根据权利要求1所述的覆膜制板方法，其特征在于：在步骤S2中，所述曝光的光源为紫外光，所述紫外光的曝光能量介于1000mJ到1500mJ。
4.根据权利要求1所述的覆膜制板方法，其特征在于：在步骤S3中，所述烘烤的温度介于109℃到115℃，时间介于240s到300s之间。
5.根据权利要求4所述的覆膜制板方法，其特征在于：在步骤S3中，所述烘烤治具包括由支架支撑的至少一个平台，每个平台内均设有上下贯通的通孔，每个平台配套设有一个搁板，每个平台均设有支座，所述支座支撑所述的搁板，所述通孔位于所述搁板下方，所述搁板与平台之间具有间隔；所述搁板的上表面用于放置所述载板。
6.根据权利要求1所述的覆膜制板方法，其特征在于：在步骤S4中，显影的具体步骤为：
S41、将所述载板固定于一平台，旋转所述平台；
S42、用IPA溶液喷淋25s，后旋转甩干；
S43、重复步骤S42这一过程4-5次。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
