[发明专利]一种覆膜制板方法在审
申请号: | 201810241369.X | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN108470687A | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 黎开明 | 申请(专利权)人: | 江西芯创光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 黄宗熊 |
地址: | 343800 江西省吉安市万安县*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载板 烘烤 覆膜 感光胶层 制板 离型膜 表面离型层 曝光显影 三层结构 曝光 板表面 离型层 中间层 放入 胶层 两层 撕掉 显影 治具 焊接 显露 芯片 保留 成功 | ||
本发明公开了一种覆膜制板方法,包括以下步骤:S1、提供一载板,将所述载板表面覆膜,所述膜为三层结构,中间层为感光胶层,其它两层为离型层;覆膜成功后将底部离型膜去掉,保留表面离型膜;S2、对所述载板上的膜进行曝光;S3、曝光完成后撕掉表面离型层,将所述载板放入烘烤治具内进行烘烤;S4、对烘烤后所述载板上的感光胶层进行显影,完成制板。本发明通过烘烤使感光胶层的粘性提高,利用曝光显影技术将载板上需要进行焊接的部分通过显露出来,制成一个表面有胶层的载板;利用该载板与其他芯片或载板连接更为方便、高效、精确,而且其可靠性更强。
技术领域
本发明涉及芯片载板的制作领域,特别涉及一种覆膜制板方法。
背景技术
随着科技的发展,现今的芯片载板越来越趋于微型化,如应用到摄像头上的 芯片。因芯片的微型化,与其对应连接的载板也越来越微型化。传统技术在将芯 片与载板或者载板与载板之间连接,大多先通过锡将其电连接,再在外围通过胶 或者其他粘性物质将其进行固定。
通过外层加胶的方法进行固定连接这种方法在操作过程中并不方便,因为在 制作芯片载板时通常是在一整块板上同时制作多个芯片载板,若均使用在外层加 胶来固定,需使用大量的人力物力。传统的芯片与载板之间的连接仅通过锡将其 连接在一起,在微型化的制作过程中,需要进行的操作较为复杂,因为既要考虑 芯片与载板之间凸点的连接,又要保证在操作过程中不影响其位置关系。所以, 设计一款方便操作,精确度高、可靠性强的芯片载板是非常有必要的。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种方便、高效、精确、可靠性强的覆 膜制板方法,通过在载板上覆膜,再进行曝光、烘烤、显影等方式在载板的一面 生成粘性较好的胶,利用胶的粘性与芯片或另一载板进行连接。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为:一种覆膜制板方法,包括以下步 骤:
S1、提供一载板,将所述载板表面覆膜,所述膜为三层结构,中间层为感光 胶层,其它两层为离型层;覆膜成功后将底部离型膜去掉,保留表面离型膜;
S2、对所述载板上的膜进行曝光;
S3、曝光完成后撕掉表面离型层,将所述载板放入烘烤治具内进行烘烤;
S4、对烘烤后所述载板上的感光胶层进行显影,完成制板。
优选的,在步骤S1中,所述膜的厚度介于30μm到70μm之间。这样,在 保证载板覆膜的同时控制其厚度,使其与芯片或载板连接时的总厚度降低,更具 微型化。
优选的,在步骤S2中,所述曝光的光源为紫外光,所述紫外光的曝光能量 介于1000mJ到1500mJ。这样,经光源作用将原始底片上的图像转移到感光胶层 上。
优选的,在步骤S3中,所述烘烤的温度介于109℃到115℃,时间介于240s 到300s之间。这样,在这个温度和时间下,能够将载板上膜的材料特性改变, 使其粘性提高。
优选的,在步骤S3中,所述烘烤治具包括由支架支撑的至少一个平台,每 个平台内均设有上下贯通的通孔,每个平台配套设有一个搁板,每个平台均设有 支座,所述支座支撑所述的搁板,所述通孔位于所述搁板下方,所述搁板与平台 之间具有间隔;所述搁板的上表面用于放置所述载板。这样,在这个烘烤治具下, 能够使载板上膜能够均匀受热,不会使其变形。
优选的,在步骤S4中,显影的具体步骤为:
S41、将所述载板固定于一平台,旋转所述平台;
S42、用IPA溶液喷淋25s,后旋转甩干;
S43、重复步骤S42这一过程4-5次。
这样,通过旋转载板结合喷淋显影液,能够使载板上的感光胶层能够更快的 将未发生光聚合反应的感光材料部分冲掉。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造