[发明专利]激光校准方法、加工方法及装置有效

专利信息
申请号: 201810241448.0 申请日: 2018-03-22
公开(公告)号: CN108406096B 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 冯雷;张红江;周欢;黄嘉;杨金虎;刘勇辉;吴凡;曾威;尹建刚;高云峰 申请(专利权)人: 大族激光科技产业集团股份有限公司
主分类号: B23K26/042 分类号: B23K26/042;B23K26/38;B23K101/40
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 石佩
地址: 518051 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 晶圆组件 激光校准 工作台 激光器 加工方法及装置 激光加工装置 切割区域 晶圆片 偏移量 标定 划痕 激光 测试 补偿偏移 加工位置 精准对位 透明粘性 校准 次预 晶圆 良率 划线 加工 切割 承载 图像 修正 移动
【说明书】:

发明涉及一种激光校准方法、加工方法及装置,激光加工装置包括用于承载晶圆组件的工作台、激光器及识别机构,利用激光加工装置加工晶圆片时,采用激光校准方法进行第一次预校准后,工作台带动晶圆组件从标定区域进入切割区域,激光器对晶圆片的正面进行切割。激光校准方法主要包括以下步骤:激光器在透明粘性膜上进行划线,得到测试划痕;工作台带动晶圆组件从切割区域进入标定区域;识别机构获取测试划痕的图像,并确定偏移量,当偏移量在阀值范围内时,工作台带动晶圆组件移动,以补偿偏移量。通过上述的激光校准方法,能修正激光在晶圆组件上的加工位置,实现激光与晶圆组件的精准对位,进而能够提高晶圆片的加工良率。

技术领域

本发明涉及激光加工技术领域,尤其涉及一种激光校准方法、加工方法及装置。

背景技术

在制作半导体晶圆的过程中,一般会采用激光加工的方式在晶圆片上切割出若干个晶粒单元,晶粒单元与晶粒单元之间则由相互垂直交错的切割道分隔开,而这些切割道就是激光的切割路径。由于晶圆片的加工精度要求较高,激光切割之前需要对切割道进行对位,以使得激光聚焦的焦点对准切割道的中心。通常,在对位确定完成后,能够加工同一型号的晶圆片,但受外界环境等各种因素的影响,会出现激光的焦点偏离切割道中心的问题,而降低晶圆片的良率。

发明内容

基于此,有必要针对传统的激光加工方法会降低晶圆片良率的问题,提供一种能够提高晶圆片良率的激光校准方法、加工方法及装置。

一种激光校准方法,包括以下步骤:

激光器在透明粘性膜上进行划线,得到测试划痕;

工作台带动晶圆组件从切割区域进入标定区域;以及

识别机构获取测试划痕的图像,并确定偏移量,当偏移量在阀值范围内时,工作台带动晶圆组件移动,以补偿偏移量。

上述的激光校准方法,通过在透明粘性膜上划线,并借助识别机构来确定测试划痕的偏移量,从而能修正激光在晶圆组件上的加工位置,实现激光与晶圆组件的精准对位,进而能够提高晶圆片的加工良率和品质。

在其中一个实施例中,所述识别机构获取测试划痕的图像,并确定偏移量的步骤中,具体包括:

识别机构获取测试划痕的图像,确定测试划痕的虚拟中心线;

计算虚拟中心线与标准中心线之间的距离,得到偏移量的数值。

一种激光加工方法,包括以下步骤:

采用上述的激光校准方法进行第一次预校准;以及

工作台带动晶圆组件从标定区域进入切割区域,激光器对晶圆片的正面进行切割。

上述的激光加工方法,在加工晶圆片的正面前先利用激光校准方法实现了激光与晶圆片的精准对位,从而能够防止划偏或划坏晶圆片,提高晶圆片的加工良率和品质。

在其中一个实施例中,激光器对晶圆片的正面切割的过程中,每间隔预设时间,都采用上述的激光校准方法进行中间校准。

在其中一个实施例中,第一次预校准中产生的测试划痕与中间校准中产生的测试划痕分布在透明粘性膜的不同位置处。

在其中一个实施例中,所述工作台带动晶圆组件从标定区域进入切割区域,激光器对晶圆片的正面进行切割的步骤之后,还包括:

翻转晶圆片,将晶圆片的正面粘贴在透明粘性膜上;

采用上述的激光校准方法进行第二次预校准;

工作台带动晶圆组件从标定区域进入切割区域,激光器对晶圆片的背面进行切割。

在其中一个实施例中,激光器对晶圆片的背面切割的过程中,每间隔预设时间,都采用上述的激光校准方法进行中间校准。

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