[发明专利]具有分层柱的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将半导体晶粒电性连接到插入物，所述半导体晶粒具有顶表面、底表面及将所述顶表面邻接到所述底表面的一个或多个侧表面；

形成传导柱的第一分层，使得所述第一分层是在所述半导体晶粒的所述一个或多个侧表面的远处外围地设置并且所述第一分层被电性连接到所述插入物；以及

形成所述传导柱的第二分层，使得所述第二分层是在所述传导柱的所述第一分层上并且电性连接到所述传导柱的所述第一分层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其进一步包括形成另一插入物于所述传导柱的所述第二分层上并且电性连接到所述传导柱的所述第二分层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其进一步包括电性附接另一半导体装置到所述另一插入物。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其进一步包括形成传导互连结构于所述插入物上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述半导体晶粒电性连接到所述插入物包括附接所述半导体晶粒的微凸块到所述插入物的微衬垫。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其进一步包括藉由底部填充材料将所述半导体晶粒的所述底表面与所述插入物之间的区域填充。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成所述第一分层包含：

形成第一层于所述插入物上方；

形成穿透所述第一层的第一孔洞以曝露所述插入物；以及

藉由传导材料填充所述第一孔洞以形成电性连接至所述插入物的所述第一分层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中形成所述第二分层包含：

形成第二层于所述第一层和所述第一分层上方；

形成穿透所述第二层并且在所述第一分层上方的第二孔洞以曝露所述第一分层；以及

藉由传导材料填充所述第二孔洞以形成电性连接至所述第一分层的所述第二分层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，其中：

形成所述第一孔洞包括形成具有第一宽度的所述第一孔洞；以及

形成所述第二孔洞包括形成具有第二宽度的所述第二孔洞，所述第二宽度是小于所述第一宽度。

10.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

电性连接半导体晶粒到一个或多个第一重新分布层，所述半导体晶粒具有顶表面、底表面及将所述顶表面邻接到所述底表面的一个或多个侧表面；

形成传导柱的第一分层，使得所述第一分层是在所述半导体晶粒的所述一个或多个侧表面的远处外围地设置并且所述第一分层被电性连接到所述一个或多个第一重新分布层；以及

形成所述传导柱的第二分层，使得所述第二分层是在所述传导柱的所述第一分层上并且电性连接到所述传导柱的所述第一分层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，其进一步包括形成一个或多个第二重新分布层于所述半导体晶粒的所述顶表面上方并且电性连接到所述传导柱的所述第二分层。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，其进一步包括形成多个传导互连结构，所述多个传导互连结构被电性连接到所述一个或多个第一重新分布层。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，其中形成所述第一分层包括：

形成第一层于所述一个或多个第一重新分布层上方；

形成穿透所述第一层的第一孔洞以曝露所述一个或多个第一重新分布层；以及

藉由传导材料填充所述第一孔洞以形成电性地连接到所述一个或多个第一重新分布层的所述第一分层。