[发明专利]具有分层柱的半导体装置及其制造方法

说明书

具有分层柱的半导体装置及其制造方法。本文揭示一种具有一个或多个分层柱的半导体装置及制造这种半导体装置的方法。所述半导体装置可包括重新分布层、半导体晶粒以及操作性地耦接所述半导体晶粒的底表面到所述重新分布层的多个互连结构。所述半导体装置可进一步包括在所述半导体晶粒的周围附近的一个或多个传导柱。所述一个或多个传导柱可被电性连接到所述重新分布层并且每个传导柱可包括多个堆叠的分层。

技术领域

本发明是关于具有传导柱的半导体装置及其制造方法。

背景技术

目前的半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不足的，存在例如造成过多的成本、可靠度下降或是封装尺寸过大的问题。举例来说，现有的技术可形成铜柱，其藉由在光阻层中蚀刻出孔洞并且以铜填充所述孔洞而形成所述铜柱。这样的现有技术通常受限于大约2:1的高宽比(aspect ratio)(高度对宽度的比值)。限制这种现有技术获得更大高宽比的一个因素是，随着蚀刻孔洞的深度增加，用铜完全填充孔洞会变得越困难。

通过将现有和传统方法与参照附图在本公开内容的其余部分中所提出的本发明进行比较，对于本领域技术人员而言，现有和传统方法的其他限制和缺点将变得显而易见。

发明内容

本公开的各种态样提供一种用于制造半导体装置的方法及所产生的半导体装置。例如但不限于，本公开的各个态样针对包括分层柱的半导体装置和用于制造这种半导体装置的方法。

本发明的一态样是一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：将半导体晶粒电性连接到插入物，所述半导体晶粒具有顶表面、底表面及将所述顶表面邻接到所述底表面的一个或多个侧表面；形成传导柱的第一分层，使得所述第一分层是在所述半导体晶粒的所述一个或多个侧表面的远处外围地设置并且所述第一分层被电性连接到所述插入物；以及形成所述传导柱的第二分层，使得所述第二分层是在所述传导柱的所述第一分层上并且电性连接到所述传导柱的所述第一分层。

所述方法进一步包括形成另一插入物于所述传导柱的所述第二分层上并且电性连接到所述传导柱的所述第二分层。

所述方法进一步包括电性附接另一半导体装置到所述另一插入物。

所述方法进一步包括形成传导互连结构于所述插入物上。

在所述方法中，将所述半导体晶粒电性连接到所述插入物包括附接所述半导体晶粒的微凸块到所述插入物的微衬垫。

所述方法进一步包括藉由底部填充材料将所述半导体晶粒的所述底表面与所述插入物之间的区域填充。

在所述方法中，形成所述第一分层包含：形成第一层于所述插入物上方；形成穿透所述第一层的第一孔洞以曝露所述插入物；以及藉由传导材料填充所述第一孔洞以形成电性连接至所述插入物的所述第一分层。

在所述方法中，形成所述第二分层包含：形成第二层于所述第一层和所述第一分层上方；形成穿透所述第二层并且在所述第一分层上方的第二孔洞以曝露所述第一分层；以及藉由传导材料填充所述第二孔洞以形成电性连接至所述第一分层的所述第二分层。

在所述方法中，形成所述第一孔洞包括形成具有第一宽度的所述第一孔洞；以及形成所述第二孔洞包括形成具有第二宽度的所述第二孔洞，所述第二宽度是小于所述第一宽度。

本发明的另一态样为一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：电性连接半导体晶粒到一个或多个第一重新分布层，所述半导体晶粒具有顶表面、底表面及将所述顶表面邻接到所述底表面的一个或多个侧表面；形成传导柱的第一分层，使得所述第一分层是在所述半导体晶粒的所述一个或多个侧表面的远处外围地设置并且所述第一分层被电性连接到所述一个或多个第一重新分布层；以及形成所述传导柱的第二分层，使得所述第二分层是在所述传导柱的所述第一分层上并且电性连接到所述传导柱的所述第一分层。