[发明专利]碳化硅半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

从第一表面延伸到碳化硅半导体主体中的沟槽结构，其中所述沟槽结构包括在所述沟槽结构的底部处的辅助电极以及布置在所述辅助电极和所述第一表面之间的栅极电极；以及

直接邻接所述沟槽结构的底部处的辅助电极并且与漂移结构形成第一pn结的屏蔽区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述辅助电极与所述屏蔽区低欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述辅助电极包括从所述第一表面延伸到所述沟槽结构的底部的连接部分。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

包括所述栅极电极的所述沟槽结构的第一部段与包括所述连接部分的第二部段沿着所述沟槽结构的水平纵向方向交替，其中水平纵向方向平行于所述第一表面。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，进一步包括

在第一负载电极和所述第一表面之间的栅极导体结构，所述栅极导体结构连接所述沟槽结构中的所述栅极电极的分离部分。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述栅极导体结构包括直接邻接所述栅极电极的第一连接部分，位于半导体主体的在所述沟槽结构中的相邻沟槽结构之间的台面部分上方的第二连接部分，以及横向连接第一和第二连接部分中的相邻连接部分的第三连接部分。

7.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，其中

所述沟槽结构形成网格。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

在所述沟槽结构的条带部分之间形成的台面部分的水平横截面是矩形、菱形和六边形之一。

9.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，其中

所述屏蔽区布置在所述沟槽结构的底部处的所述辅助电极之下。

10.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，其中

所述沟槽结构包括使所述栅极电极和所述辅助电极分离的分离电介质。

11.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，进一步包括

与所述漂移结构形成第二pn结以及与源极区域形成第三pn结的主体区，所述源极区域形成在所述第一表面和所述主体区之间。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中

所述源极区域和所述主体区直接邻接所述第一表面。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中

沿着所述第一表面，所述源极区域水平环绕所述主体区的接触部分。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中

所述漂移结构包括轻掺杂的漂移区域和在所述主体区与漂移区域之间的电流扩展区域，其中所述电流扩展区域横向邻接所述屏蔽区，并且所述屏蔽区邻接所述漂移区域。

15.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，其中

所述辅助电极包括邻接所述屏蔽区的金属界面层。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述辅助电极与所述屏蔽区直接接触。

17.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述屏蔽区至少形成在所述第二部段中的至少一个或者所述第二部段中的每一个的垂直投影中。