[发明专利]阻气性膜

权利要求书

1.一种阻气性膜，是在高分子基材的至少一侧，从所述高分子基材侧起依次具有无机层A和硅化合物层B的阻气性膜，无机层A包含锌化合物和硅氧化物，硅化合物层B包含硅氧氮化物，并且无机层A与硅化合物层B接触，相对于无机层A的中央部的通过X射线光电子能谱法获得的ZnLMM光谱，无机层A的硅化合物层B侧的界面区域I中的ZnLMM光谱相对宽。

2.根据权利要求1所述的阻气性膜，在所述高分子基材与所述无机层A之间具有底涂层C，所述底涂层C包含由具有芳香族环结构的聚氨酯化合物C1交联而得的结构。

3.根据权利要求1或2所述的阻气性膜，所述无机层A为由氧化锌与二氧化硅与氧化铝的共存相形成的无机层A1、和由硫化锌与二氧化硅的共存相形成的无机层A2中的任一种。

4.根据权利要求3所述的阻气性膜，所述无机层A为所述无机层A1，该无机层A1是通过下述组成所构成的，所述组成是：通过ICP发射光谱分析法测定的锌原子浓度为20～40原子％、硅原子浓度为5～20原子％、铝原子浓度为0.5～5原子％、氧原子浓度为35～70原子％。

5.根据权利要求3所述的阻气性膜，所述无机层A为所述无机层A2，该无机层A2是通过下述组成所构成的，所述组成是：硫化锌相对于硫化锌与二氧化硅的合计的摩尔分率为0.7～0.9。

6.根据权利要求1或2所述的阻气性膜，所述硅化合物层B在通过X射线光电子能谱法测定元素分布时，氧原子相对于硅原子的原子组成比为0.1以上且小于2.0，并且氮原子相对于硅原子的原子组成比为0.1以上且小于1.0。

7.根据权利要求2所述的阻气性膜，所述底涂层C包含有机硅化合物和/或无机硅化合物。

8.根据权利要求3所述的阻气性膜，所述底涂层C包含有机硅化合物和/或无机硅化合物。

9.一种电子器件，其具有权利要求1～8的任一项所述的阻气性膜。

10.制造权利要求1～8中任一项所述的阻气性膜的方法，其包括下述工序：工序a，在高分子基材上，通过溅射法设置包含锌化合物和硅氧化物的无机层A；工序b，在该无机层A上，涂布包含具有聚硅氮烷骨架的硅化合物的涂液，然后使其干燥来形成涂膜，接着在氮气气氛下对该涂膜进行活性能量射线照射处理，从而设置包含硅氧氮化物的硅化合物层B。

11.制造权利要求1～8中任一项所述的阻气性膜的方法，其包括下述工序：工序c，在高分子基材上，涂布包含具有芳香族环结构的聚氨酯化合物C1的涂液，然后使其干燥来形成涂膜，接着在氮气气氛下对该涂膜进行活性能量射线照射处理，从而设置底涂层C；工序a，在该底涂层C上，通过溅射法设置包含锌化合物和硅氧化物的无机层A；工序b，在该无机层A上，涂布包含具有聚硅氮烷骨架的硅化合物的涂液，然后使其干燥来形成涂膜，接着在氮气气氛下对该涂膜进行活性能量射线照射处理，从而设置包含硅氧化物和硅氧氮化物的硅化合物层B。