[发明专利]阻气性膜

说明书

本发明的目的在于提供一种具有高度的阻气性，并且耐弯曲性优异的阻气性膜。本发明的阻气膜，其特征在于，是在高分子基材的至少一侧，从上述高分子基材侧起依次具有无机层[A]和硅化合物层[B]的阻气性膜，无机层[A]包含锌化合物和硅氧化物，硅化合物层[B]包含硅氧氮化物，并且无机层[A]与硅化合物层[B]接触。

本申请发明是申请号为201380069794.0、发明名称为“阻气性膜”、申请日为2013年12月25日的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及在需要高阻气性的食品、药品的包装用途、太阳能电池、电子纸、有机电致发光(EL)显示器等电子器件用途中使用的阻气性膜。

背景技术

在高分子基材的表面，使用氧化铝、氧化硅、氧化镁等无机物(包含无机氧化物)，利用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相生长法(PVD法)、或等离子体化学气相生长法、热化学气相生长法、光化学气相生长法等化学气相生长法(CVD法)等形成该无机物的蒸镀膜而成的阻气性膜作为需要阻断水蒸气、氧气等各种气体的食品、药品等的包装材和平板电视、太阳能电池等电子器件构件使用。

作为提高阻气性的技术，公开了例如，使用含有有机硅化合物的蒸气和氧气的气体，通过等离子体CVD法在基材上，形成以硅氧化物作为主体并含有碳、氢、硅和氧的至少1种的化合物，从而维持透明性同时提高阻气性的方法(专利文献1)。此外，作为等离子体CVD法等成膜方法以外的提高阻气性的技术，公开了使用成为使阻气性降低的针孔、破裂的产生原因的突起、凹凸减少了的平滑基材、设置有以表面平滑化为目的的底涂层的基材(专利文献2、3、4)，或使通过湿涂法形成的聚硅氮烷膜转化为氧化硅膜、氧氮化硅膜的方法(专利文献5、6)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-142252号公报

专利文献2：日本特开2002-113826号公报

专利文献3：国际公开第2012/137662号小册子

专利文献4：国际公开第2013/061726号小册子

专利文献5：国际公开第2011/007543号小册子

专利文献6：国际公开第2011/004698号小册子

发明内容

发明所要解决的课题

然而，如专利文献1那样，在通过等离子体CVD法形成以硅氧化物作为主成分的阻气性的层的方法中，根据基材的种类，所形成的阻气层的膜质不同，得不到稳定的阻气性，为了使阻气性稳定而需要进行厚膜化，因此有耐弯曲性降低、制造成本增加等问题。此外，如专利文献2那样，形成阻气层的基材使用了平滑基材、设置有以表面平滑化为目的的底涂层的基材的方法，通过防止针孔、破裂的产生，从而阻气性提高，但性能的提高是不充分的。另一方面，专利文献3、4中，所形成的阻气层的膜质被改善，因此可见性能的提高，但有稳定地表现高阻气性困难这样的问题。此外，在专利文献5、6的由聚硅氮烷层形成阻气性层的方法中，易于受到形成层时的条件影响，为了稳定地获得具有充分的阻气性的阻气性膜而需要叠层多个聚硅氮烷层，因此有耐弯曲性降低、制造成本增加等问题。

本发明是鉴于这样的现有技术的背景，提供即使不进行厚膜化、多层叠层也具有高度的阻气性、并且耐弯曲性优异的阻气性膜。

用于解决课题的方法

本发明为了解决这样的课题，采用以下那样的方法。即，

(1)一种阻气性膜，是在高分子基材的至少一侧，从上述高分子基材侧起依次具有无机层[A]和硅化合物层[B]的阻气性膜，无机层[A]包含锌化合物和硅氧化物，硅化合物层[B]包含硅氧氮化物，并且无机层[A]与硅化合物层[B]接触。