[发明专利]生产半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于生产半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体工件，所述半导体工件具有附接至所述半导体工件的第一侧的载体、并且具有应用至所述半导体工件的第二侧的金属层，所述金属层包括连续部分，其中所述半导体工件包括具有外延层的半导体层，所述外延层形在所述半导体层的正面上，所述外延层具有一个或多个半导体器件，所述金属层形成在所述半导体层的背面上；

在所述金属层之上形成至少一个多层结构的金属块，包括在金属层的背离所述半导体工件的所述连续部分的背侧上形成多个金属块，所述多个金属块直接接触所述背侧并且在平行于所述金属层的所述连续部分的背侧的方向上间隔开；以及

在所述金属层和所述至少一个金属块中的至少一项之上形成包封层，以至少部分地包封所述至少一个金属块。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述包封层之后，从所述半导体工件去除所述载体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述金属层和所述至少一个金属块中的至少一项之上形成所述包封层包括：在所述金属层和所述至少一个金属块之上形成所述包封层，

所述方法进一步包括：

减薄所述包封层，以露出所述至少一个金属块。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：在减薄所述包封层之后，从所述半导体工件去除所述载体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述包封层包括模制化合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体工件包括碳化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属块包括铜。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属焊盘是铜焊盘。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述金属层包括锡或银。

10.根据权利要求3所述的方法，其中减薄所述包封层包括：研磨所述包封层。

11.一种用于生产半导体器件的方法，包括：

提供堆叠，所述堆叠包括：

薄半导体层；

外延层，形成在所述薄半导体层的正面上，所述外延层具有一个或多个半导体器件；

金属层，形成在所述薄半导体层的背面上；

载体层，附接至所述外延层；

在所述金属层上形成至少一个金属块；

在所述至少一个金属块和所述金属层之上应用模制结构层；

减薄所述模制结构，以露出所述至少一个金属块；以及

从所述堆叠去除所述载体层。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

切割所述堆叠，以形成一个或多个独立的半导体芯片。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

将所述堆叠安装在引线框架上。

14.根据权利要求11所述的方法，其中减薄所述模制结构层包括：向下研磨所述模制结构层至所述金属块。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述薄半导体层包括碳化硅。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述外延层包括碳化硅。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述薄半导体层具有5μm至15μm的厚度，其中所述厚度是从所述薄半导体层的正面到背面垂直地测得。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述金属块包括被覆盖有覆盖金属层的铜焊盘。