[发明专利]生产半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201810246443.7 申请日: 2014-07-21
公开(公告)号: CN108305837B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: A·沃尔科尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/683;H01L21/768;H01L21/82;H01L21/60;H01L23/32
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 生产 半导体器件 方法
【说明书】:

根据各个实施方案的用于生产半导体器件的方法可以包括:提供附接至第一载体的半导体工件;切割半导体工件和载体,以形成至少一个独立的半导体芯片;利用半导体芯片的背离载体的一侧,将至少一个半导体芯片安装至附加的载体。

本申请为申请日为2014年7月21日、申请号为201410347707.X、题为“生产半导体器件的方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的各个实施方案涉及一种用于生产半导体器件的方法。

背景技术

对于半导体芯片和器件,半导体衬底经常可以是欧姆损耗和热阻的来源。除此之外,一些半导体衬底可以是容易由于操作而破裂的,或者具有限制性的用于半导体制造的工艺容差。因此,可能需要没有上述缺点的、用于制造带有这样的衬底的半导体器件的方法,该衬底具有可以为了器件形成而被优化的尺寸。

发明内容

根据各个实施方案的用于生产半导体器件的方法可以包括:提供附接至载体的半导体工件;切割半导体工件和载体,以便形成至少一个独立的半导体芯片;利用半导体芯片的背离载体的一侧,将至少一个半导体芯片安装至附加载体。

根据各个实施方案的用于生产半导体器件的方法可以包括:提供半导体工件,该半导体工件具有附接至高半导体工件的第一侧的载体,并且具有应用至该半导体工件的第二侧的金属层;在金属层之上形成至少一个金属块;以及在金属层中的至少一层以及至少一个金属块之上形成包封层,以便至少部分地包封至少一个金属块。

附图说明

在附图中,在所有不同视图中,相似的附图标记通常指相同的部件。附图不一定按比例绘制,而是通常将重点放在说明发明的原理。在以下说明中,参照以下附图描述本发明的各个实施方案,其中:

图1根据各个实施方案示出了一种生产半导体器件的方法;

图2A-图2D根据各个实施方案示出了图示了一种涉及半导体工件的工艺的各个视图;

图3根据各个实施方案示出了一种生产半导体器件的方法;

图4A-图4I根据各个实施方案示出了图示了一种涉及半导体工件的工艺的各个视图;

图5根据各个实施方案示出了一种生产半导体器件的方法;

图6A-图6F根据各个实施方案示出了图示了一种涉及半导体工件的工艺的各个视图;以及

图7A-图7E根据各个实施方案示出了图示了一种涉及半导体工件的工艺的各个视图。

具体实施方式

以下详细描述参照附图,附图以图示的方式示出了具体细节以及其中可以实践该发明的实施方案。这些实施方案被描述的足够详细以确保本领域的技术人员实践本发明。其它的实施方案也可以被使用,并且可以在不脱离本发明的范围的情况下做出结构、逻辑和电学上的改变。各个实施方案不一定是互相排斥的,因为一些实施方案可以与一个或多个其他的实施方案结合在一起组成新的实施方案。关于方法描述了各个实施方,并且也关于器件描述了各个实施方案。然而,应当理解的是关于方法描述的实施方案可以类似地应用于关于器件描述的实施方案,反之亦然。

本文所用的词语“典型”的含义是“作为示例、实例或者说明”。这里作为“典型”描述的任何实施方案或者设计都没有必要被认为比其他的实施方案或者设计更优选或者更有益。

术语“至少一个”和“一个或多个”可以理解为包括了任何大于或等于一的整数,例如,一、二、三、四,等等。

术语“多个”可以理解为包括了任何大于或等于二的整数,例如,二、三、四、五,等等。

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