[发明专利]一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构及其制备方法

权利要求书

1.一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构，其特征在于：所述MSM结构为平行二极管结构或垂直二极管结构，所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层包括选自Mo金属电极层、ZnON薄膜层中的至少2层，相邻层之间通过沉积形成。

2.根据权利要求1所述的一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构，其特征在于：所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层包括Mo金属电极层和ZnON薄膜层，所述Mo金属电极层包括由Mo薄膜刻蚀形成的2个金属电极，使所述MSM结构形成平行方向背靠背肖特基二极管结构。

3.根据权利要求2所述的一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构，其特征在于：所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层为Mo金属电极层和ZnON薄膜层依次排列形成，或所述外延层为ZnON薄膜层和Mo金属电极层依次排列形成。

4.根据权利要求1所述的一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构，其特征在于：所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层包括ZnON薄膜层和2层Mo金属电极层，所述ZnON薄膜层位于2层Mo金属电极层之间，使所述MSM结构形成垂直方向背靠背肖特基二极管结构。

5.一种权利要求1～4任一项所述的基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构的制备方法，其特征在于：

当所述MSM结构为平行二极管结构时，所述制备方法包括以下步骤：

(1)对玻璃基片进行清洗，得到玻璃衬底；

(2)在玻璃衬底上依次沉积、刻蚀外延层的每一层即得所述MSM结构；

其中，所述外延层包括选自Mo金属电极层、ZnON薄膜层中的至少2层；

当所述MSM结构为垂直二极管结构时，所述制备方法包括以下步骤：

(1)对玻璃基片进行清洗，得到玻璃衬底；

(2)在玻璃衬底上依次沉积外延层的每一层即得所述MSM结构；

其中，所述外延层包括选自Mo金属电极层、ZnON薄膜层中的至少2层，在沉积ZnON薄膜层后还进行刻蚀操作。

6.根据权利要求5所述的一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构的制备方法，其特征在于：所述ZnON薄膜层的沉积方法为：采用射频磁控溅射方法，以99.99％纯度的锌靶为溅射靶材，以氩气、氧气、高纯氮气的混合气体为溅射气体，沉积前通入氩气对锌靶进行2～10min的预溅射，溅射过程中氩气与氧气的气体流量分别为10～50sccm和0.1～10sccm，氮气气体流量为10～150sccm，溅射时间为1～20min，溅射功率为60～150W，衬底温度为20～30℃，生成ZnON薄膜层厚度为10～100nm。

7.根据权利要求6所述的一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构的制备方法，其特征在于：所述氮气和氧气的气体流量比为10～150。

8.根据权利要求5所述的一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构的制备方法，其特征在于：所述ZnON薄膜层的刻蚀方法为：采用匀胶旋涂后进行光刻，设置曝光时间为5s，并调整掩膜版位置以形成所需图案，曝光结束后用1～4％NaOH溶液进行显影，显影时间为5-10s，用0.5～3％的酸性溶液进行刻蚀，刻蚀时间为5～15s，刻蚀温度为20～30℃。

9.根据权利要求5所述的一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构的制备方法，其特征在于：所述Mo金属电极层的沉积方法为：采用直流磁控溅射方法，以99.99％纯度的钼靶为溅射靶材，沉积前通入氩气对钼靶进行2～10min的预溅射，以氩气为溅射气体，薄膜溅射时间为2～10min，衬底温度为20～30℃。

10.根据权利要求5所述的一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构的制备方法，其特征在于：所述Mo金属电极层的刻蚀方法为：采用匀胶旋涂后进行光刻，设置曝光时间为5s，并调整掩膜版位置以形成所需图案，曝光结束后用1～4％NaOH溶液进行显影，显影时间为10s，用4～15％H₂O₂溶液进行刻蚀，刻蚀时间为10～25s，刻蚀温度为20～30℃。