[发明专利]一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构及其制备方法

说明书

本发明公开一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构及其制备方法，所述MSM结构为平行二极管结构或垂直二极管结构，所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层包括选自Mo金属电极层、ZnON薄膜层中的至少2层，相邻层之间通过沉积形成。能够解决现有的肖特基二极管需要进行退火处理、氧等离子体刻蚀或UV臭氧的预处理，工艺复杂的问题，其工艺简单，性能卓越，可以大面积低成本制备，可应用于柔性电子器件领域。

技术领域

本发明涉及肖特基二极管半导体器件技术领域，具体涉及一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构及其制备方法。

背景技术

在柔性电子方面，如RFID、柔性太阳能电池、柔性电路等，高性能的肖特基二极管起着至关重要的作用。此外，肖特基接触还出现在金属氧化物TFT的源漏极接触中。近年来，人们对a-IGZO基肖特基势垒二极(SBD)及IGZO薄膜已有相当的研究，a-IGZO基肖特基二极管由于其高速运行的优势而备受关注。但是，这种肖特基接触的特性高度依赖于多元半导体中的配比，尤其是金属-半导体界面的氧含量，需要进行退火处理或通过引入诸如氧等离子体刻蚀或UV臭氧的预处理以在金属-半导体界面处产生富氧层。因此有必要开发一种工艺简单，性能卓越，可以大面积低成本制备的肖特基二极管，以满足柔性电子发展的需要。

发明内容

本发明的目的在于：针对上述现有的肖特基二极管需要进行退火处理、氧等离子体刻蚀或UV臭氧的预处理，工艺复杂的问题，本发明提供一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构及其制备方法。

本发明提供的技术方案是一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构，所述MSM结构为平行二极管结构或垂直二极管结构，所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层包括选自Mo金属电极层、ZnON薄膜层中的至少2层，相邻层之间通过沉积形成。

优选的，所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层包括Mo金属电极层和ZnON薄膜层，所述Mo金属电极层包括由Mo薄膜刻蚀形成的2个金属电极，使所述MSM结构形成平行方向背靠背肖特基二极管结构。

更为优选的，所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层为Mo金属电极层和ZnON薄膜层依次排列形成，或所述外延层为ZnON薄膜层和Mo金属电极层依次排列形成。

优选的，所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层包括ZnON薄膜层和2层Mo金属电极层，所述ZnON薄膜层位于2层Mo金属电极层之间，使所述MSM结构形成垂直方向背靠背肖特基二极管结构。

本申请技术方案提供一种上述基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构的制备方法，

当所述MSM结构为平行二极管结构时，所述制备方法包括以下步骤：

(1)对玻璃基片进行清洗，得到玻璃衬底；

(2)在玻璃衬底上依次沉积、刻蚀外延层的每一层即得所述MSM结构；

其中，所述外延层包括选自Mo金属电极层、ZnON薄膜层中的至少2层；

当所述MSM结构为垂直二极管结构时，所述制备方法包括以下步骤：

(1)对玻璃基片进行清洗，得到玻璃衬底；

(2)在玻璃衬底上依次沉积外延层的每一层即得所述MSM结构；

其中，所述外延层包括选自Mo金属电极层、ZnON薄膜层中的至少2层，在沉积ZnON薄膜层后还进行刻蚀操作。