[发明专利]包括高功率RF放大器的机架有效

专利信息
申请号: 201810250938.7 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN108667429B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: M·阿布斯;D·乔阿森 申请(专利权)人: 离子束应用公司
主分类号: H03F1/00 分类号: H03F1/00;H03F3/189;H05K7/14
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 林伟峰
地址: 比利时*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 功率 rf 放大器 机架
【说明书】:

包括高功率射频放大器的机架,该机架(1)包括具有左侧立柱(2)和右侧立柱(3)的框架,在所述立柱之间安装有多个RF放大器模块(10)。RF放大器模块(10)的RF功率输出端(12)连接到RF功率合成器(100)的输入端(101)以传送给合成RF功率输出端(102)。功率合成器(100)至少部分地布置在框架的左侧立柱(7)之间所包含的体积内或框架的右侧立柱(8)之间所包含的体积内,从而减少机架(1)的占地尺寸。

技术领域

本发明涉及一种包括高功率RF放大器的机架,更具体地,涉及一种包括多个互连的RF放大器模块的机架,该多个互连的RF放大器模块的输出被合成以提供高功率RF输出。

背景技术

射频(RF)功率放大器越来越多地使用诸如功率半导体等固态器件(SSD)来取代电子真空管(三极管、四极管......)以将RF信号放大为高功率。然而,已知的SSD不能提供例如在粒子加速器中产生加速电场所需的几十甚至几百千瓦的功率水平。因此,已知将多个SSD放大器模块的输出进行合成以实现期望的高功率输出。另外已知将SSD放大器模块安装在机架中并且将它们各自的输出合成以实现期望的高功率输出。

在传统设计中,RF功率合成器布置在机架后侧的后面,因此不仅占用额外的空间,而且对于安装在机架中的SSD放大器模块的其他连接也是麻烦的阻碍,例如电源连接和冷却流体连接。

专利公开号WO2015023203A1公开了一种适于安装在19英寸机架中的功率合成器。这种功率合成器占用机架中的有用空间,使得其无法用于SSD放大器模块和/或其他设备。该合成器具有二乘六个水平对齐的功率输入端的特定设计使得还需要使用多个电缆连接到SSD放大器模块的功率输出端,使得当想要从机架移除一个SSD放大器模块时,这种连接其他SSD放大器模块的电缆很可能必须首先拆除,这是很不方便的。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术的高功率RF放大器在机架安装时的问题。

本发明由独立权利要求限定。从属权利要求限定有益的实施例。

根据本发明,提供了一种用于安装多个设备模块的机架,所述机架具有左侧、右侧、前侧、后侧、顶侧和底侧。所述机架包括具有左侧立柱和右侧立柱的框架,以及多个RF放大器模块,该多个RF放大器模块安装在框架上,位于左侧立柱所在一侧与右侧立柱所在的另一侧之间,每个放大器模块包括具有RF输入端和放大RF输出端的RF放大器电路。

所述机架还包括具有第一合成器输入端的第一RF功率合成器,所述第一合成器输入端分别连接到所述多个RF放大器模块的放大RF输出端以传送给第一合成RF功率输出端。第一RF功率合成器安装在机架中,至少部分地安装在框架的左侧立柱之间所包含的体积内或至少部分地安装在框架的右侧立柱之间所包含的体积内。

由于这种布置,通常不用于将设备放置在机架中的空间现在用于放置第一RF功率合成器的至少一部分。因此,与传统配置相比,整个系统将占用更少的空间和/或呈现更小的尺寸。

优选地,每个RF放大器模块具有位于机架的前侧的正面,并且所述正面包括将RF放大器模块的放大RF输出端链接到第一RF功率合成器的电路。这允许利用该正面作为电路的一部分或者作为第一功率合成器的一部分。换句话说,该正面既具有机械功能又具有电气功能,这节省了成本和空间。

更优选地,每个RF放大器模块可移除地安装在机架中,并且它的正面包括第一连接器,以将电路可移除地连接到第一RF功率合成器,所述第一连接器布置在所述正面的远端左侧和/或远端右侧处。这有助于将RF放大器模块移除并重新插入到机架中,而不必使用松散的电缆或其他组件将每个RF放大器模块连接到第一功率合成器。由于操作人员可以在建立时更好地看到所述连接,这还提供了RF放大器模块和第一RF功率合成器之间的更精确的连接。

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