[发明专利]一种基于石墨烯自身缺陷制作标准漏孔的方法

权利要求书

1.一种基于石墨自身烯缺陷制作标准漏孔的方法，其特征是首先在石墨烯铜箔涂上聚甲基丙烯酸甲酯，接着放入已配好的腐蚀液去除铜箔，放在去离子水中清洗；再将石墨烯转到已打好孔的硅片上，将转移过后的石墨烯放在蒸发皿中，干燥60min，之后将丙酮倒入蒸发皿中去除聚甲基丙烯酸甲酯，再干燥完成石墨烯的转移，固化制得标准漏孔。

2.根据1所述的基于石墨烯自身缺陷制作标准漏孔的方法，其特征是按如下步骤操作：

a、取一铜箔放入真空管式炉，控制氢气和甲烷的浓度，进行石墨烯的生长，最后待生长完毕后进行快速降温，待温度冷却后，在铜箔表面沉积获得单层的石墨烯；

b、在制备好的石墨烯上均匀旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，控制好聚甲基丙烯酸甲酯的厚度，匀胶机先慢速800r/s持续5s，再快速3000r/s持续10s；

c、取一硅片，利用激光在硅片上打小孔，之后在超声机上分别使用丙酮，酒精和去离子水清洗，作为石墨烯的衬底；

d、用镊子夹住在步骤b获得的附有石墨烯的铜箔放到腐蚀溶液中，腐蚀液的配比为硫酸铜：盐酸：水＝1:5:5，将铜完全腐蚀掉，将获得的石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯放在去离子水中清洗，得到聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯薄膜；

e、将石墨烯转移到在步骤c获得的硅片上后，放入蒸发皿中干燥60min，完成单层石墨烯的转移，获得单层石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯结构，若想获得多层石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯结构，获得单层石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯结构后，去除聚甲基丙烯酸甲酯，再干燥后，再在其上转移一层石墨烯聚甲基丙烯酸甲酯，烘干后便得到了双层石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯的结构，重复该步骤即可获得多层石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯结构；

f、将含石墨烯的硅片放置在KF40密封法兰上，将硅片上的小孔与法兰上的大孔相对应，随后使用Torr-Seal真空密封胶密封硅片和法兰，再静置约12小时制得标准漏孔。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征是步骤a中铜箔放入真空管式炉中抽真空至10Pa左右，然后半小时升温至1020℃，然后保温退火60min。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征是步骤b中在制备好的石墨烯上均匀旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，厚度基本控制在300-500nm。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征是步骤c中硅片上打孔的直径为300-800um。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征是步骤d中放入铜腐蚀液中浸泡3小时。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征是步骤e中去除聚甲基丙烯酸甲酯使用物质的是丙酮。