[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其具备等离子体簇射装置，该等离子体簇射装置构成为对向晶圆照射的离子束供给电子，该离子注入装置的特征在于，

所述等离子体簇射装置包含：

等离子体生成室，具有引出向所述离子束供给的电子的引出开口；

第1电极，具有与所述引出开口连通的开口，并以所述等离子体生成室的电位为基准而被施加第1电压；

第2电极，配置在隔着所述离子束而与所述第1电极相对置的位置，并以所述等离子体生成室的电位为基准而被施加第2电压；以及

控制部，对所述第1电压及所述第2电压分别独立地进行控制而切换所述等离子体簇射装置的动作模式，

所述动作模式包含所述第1电压及所述第2电压中的至少一个电压为负电压的第1模式以及所述第1电压及所述第2电压中的至少一个电压为正电压的第2模式。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制部根据所述离子束的射束条件，改变所述第1电压及所述第2电压中的至少一个电压而切换所述动作模式。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制部根据所述离子束的射束电流值，切换所述动作模式。

4.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制部根据所述离子束的射束能量，切换所述动作模式。

5.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制部根据所述离子束的离子种类，切换所述动作模式。

6.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1模式的所述第1电压为负电压，

所述第2模式的所述第1电压为正电压。

7.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1模式的所述第2电压为负电压。

8.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2模式的所述第2电压为负电压。

9.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1模式为在所述离子束的射束电流值为规定值以上时选择的高电流模式，

所述第2模式为在所述离子束的射束电流值小于所述规定值时选择的低电流模式。

10.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制部对所述第1电压及所述第2电压分别独立地进行控制，以使所述第1电压及所述第2电压的绝对值分别成为0.1V以上且50V以下。

11.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子注入装置还具备设置在比所述等离子体簇射装置靠上游侧的射束扫描器，

所述射束扫描器构成为使所述离子束在与射束行进方向正交的规定的射束扫描方向上进行往复扫描，

所述第1电极及所述第2电极配置成在与所述射束行进方向及所述射束扫描方向这两个方向正交的方向上相对置。

12.根据权利要求11所述的离子注入装置，其特征在于，

所述等离子体簇射装置还包含一对第3电极，该一对第3电极配置成隔着所述离子束而在所述射束扫描方向上相对置，并以所述等离子体生成室的电位为基准而被施加第3电压，

所述控制部还对所述第3电压进行控制而切换所述动作模式。