[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

说明书

本发明提供一种离子注入装置及离子注入方法，能够应对多种射束条件。离子注入装置具备构成为对向晶圆照射的离子束(B)供给电子的等离子体簇射装置(60)。等离子体簇射装置(60)包含：等离子体生成室(62)，具有引出向离子束(B)供给的电子的引出开口(64)；第1电极(71)，具有与引出开口(64)连通的开口(74)，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第1电压；第2电极(72)，配置在隔着离子束(B)而与第1电极(71)相对置的位置，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第2电压；以及控制部(86)，对第1电压及第2电压分别独立地进行控制并切换等离子体簇射装置(60)的动作模式。

本申请主张基于2017年3月29日申请的日本专利申请第2017-064492号的优先权。该申请的所有内容通过参考援用于本说明书中。

技术领域

本发明涉及一种离子注入装置及离子注入方法。

背景技术

半导体制造工序中，为了改变半导体晶圆的导电性的目的和改变半导体晶圆的晶体结构的目的等，标准地实施了向半导体晶圆注入离子的工序。该工序中所使用的装置一般被称为离子注入装置，其构成为向注入处理室内的晶圆照射离子束。在注入处理室中，为了防止由离子注入引起的晶圆表面的带电，设置有等离子体簇射装置等带电抑制装置。等离子体簇射装置通过向晶圆表面供给电子，从而中和在晶圆表面上带电的电荷(参考专利文献1)。

专利文献1：日本特开2006-156142号公报

等离子体簇射装置中所要求的电子供给量可以根据照射于晶圆的离子束的射束条件而不同。例如，如果为1～10mA左右的高电流束，则需要更多的电子供给，与此相对，如果为10～100μA左右的低/中电流束，则不需要高电流束程度的电子供给量。因此，在高电流用注入装置与低/中电流用注入装置中，一般使用规格分别不同的等离子体簇射装置。另一方面，当为了能够用1台注入装置担负低/中电流区域到高电流区域时，需要设为能够根据射束条件而实现适当的电子供给量的等离子体簇射装置。

发明内容

本发明是鉴于这种状况而完成的，其目的在于提供一种能够应对多种射束条件的等离子体簇射装置。

本发明的一方式的离子注入装置，其具备等离子体簇射装置，该等离子体簇射装置构成为对向晶圆照射的离子束供给电子，该离子注入装置中，等离子体簇射装置包含：等离子体生成室，具有引出向离子束供给的电子的引出开口；第1电极，具有与引出开口连通的开口，并以等离子体生成室的电位为基准而被施加第1电压；第2电极，配置在隔着离子束而与第1电极相对置的位置，并以等离子体生成室的电位为基准而被施加第2电压；以及控制部，对第1电压及第2电压分别独立地进行控制而切换等离子体簇射装置的动作模式。

本发明的另一方式为离子注入方法。该方法使用具备等离子体簇射装置的离子注入装置，该等离子体簇射装置构成为对向晶圆照射的离子束供给电子。等离子体簇射装置包含：等离子体生成室，具有引出向离子束供给的电子的引出开口；第1电极，具有与引出开口连通的开口，并以等离子体生成室的电位为基准而被施加第1电压；以及第2电极，配置在隔着离子束而与第1电极相对置的位置，并以等离子体生成室的电位为基准而被施加第2电压。该方法根据离子束的射束条件，对第1电压及第2电压分别独立地进行控制而切换等离子体簇射装置的动作模式。

另外，在方法、装置、系统等之间相互替换以上构成要件的任意组合或本发明的构成要件或表述，这作为本发明的方式也是有效的。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能够应对多种射束条件的等离子体簇射装置。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的离子注入装置的概略结构的俯视图。

图2是表示图1的离子注入装置的概略结构的侧视图。