[发明专利]摄像装置及照相机系统

权利要求书

1.一种摄像装置，其特征在于，具备：半导体基板；多个像素，在上述半导体基板上在第一方向上排列；以及信号线，沿着上述第一方向延伸，传送来自上述多个像素的输出；上述多个像素分别具备：光电变换部，通过光电变换生成电荷；电荷储存区域，电连接到上述光电变换部，储存上述电荷；放大晶体管，其栅极连接到上述电荷储存区域，将与储存在上述电荷储存区域中的电荷的量对应的信号向上述信号线输出；第一电容元件，具有第一端子、第二端子，第一端子连接到上述电荷储存区域；第二电容元件，具有第三端子、第四端子，上述第三端子连接到上述第二端子，上述第四端子连接到基准电位；反馈晶体管，其源极及漏极中的一方连接到上述第二端子；以及反馈电路，形成使上述放大晶体管的输出经由上述反馈晶体管向上述电荷储存区域负反馈的反馈路径；上述反馈路径中的从上述反馈晶体管到上述第一电容元件的路径，位于比上述信号线更靠上述半导体基板一侧，上述第二电容元件具备第一电极、位于比上述第一电极距上述半导体基板更远处的第二电极、和上述第一电极与上述第二电极之间的电介体层，上述反馈晶体管的上述源极及上述漏极中的上述一方，经由上述第一电极连接到上述第一电容元件的上述第二端子，上述第二电容元件位于上述信号线和上述半导体基板之间。

2.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述放大晶体管的源极及漏极中的一方和上述反馈晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方在上述像素内连接；上述反馈路径中的从上述放大晶体管到上述第一电容元件的路径，位于比上述信号线更靠上述半导体基板一侧。

3.如权利要求2所述的摄像装置，其特征在于，上述放大晶体管的上述源极及上述漏极中的上述一方，经由上述半导体基板的上方的半导体层连接到上述反馈晶体管的上述源极及上述漏极中的上述另一方。

4.如权利要求2所述的摄像装置，其特征在于，上述放大晶体管包括上述半导体基板内的第一扩散层，作为上述放大晶体管中的上述源极及上述漏极中的上述一方；上述反馈晶体管包括上述半导体基板内的第二扩散层，作为上述反馈晶体管的上述源极及上述漏极中的上述一方；上述第一扩散层和上述第二扩散层是连续的单一的扩散层。

5.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述反馈电路包括反转放大器；上述放大晶体管的源极及漏极中的一方，经由上述反转放大器连接到上述反馈晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方。

6.如权利要求5所述的摄像装置，其特征在于，具备沿着上述第一方向延伸并传送上述反转放大器的输出的反馈线；上述反馈线包含在与上述信号线相同的布线层中。

7.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述光电变换部包括连接到上述电荷储存区域的像素电极、对置于上述像素电极的对置电极、和上述像素电极与上述对置电极之间的光电变换层。

8.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述光电变换部包括上述半导体基板内的光电二极管。

9.如权利要求8所述的摄像装置，其特征在于，上述电荷储存区域经由传输晶体管电连接到上述光电变换部。

10.一种照相机系统，其特征在于，具备：权利要求1～9中任一项所述的摄像装置；透镜光学系统，使上述摄像装置成像；以及照相机信号处理部，处理从上述摄像装置输出的信号。