[发明专利]摄像装置及照相机系统有效
申请号: | 201810256675.0 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108878462B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 佐藤好弘 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N23/50 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 照相机 系统 | ||
提供降低了kTC噪声的摄像装置。摄像装置具备:半导体基板;多个像素;信号线,沿第一方向延伸,传送多个像素的输出;多个像素分别具备:光电变换部;电荷储存区域;放大晶体管,栅极连接到电荷储存区域,将与储存电荷的量对应的信号向信号线输出;第一电容元件,具有第一端子、第二端子,第一端子连接到电荷储存区域;第二电容元件,具有第三端子、第四端子,第三端子连接到第二端子,第四端子连接到基准电位;反馈晶体管,源极及漏极的一方连接到第二端子;反馈电路,使放大晶体管的输出经由反馈晶体管向电荷储存区域负反馈;反馈路径中的从反馈晶体管到第一电容元件的路径位于比信号线更靠半导体基板一侧。
技术领域
本公开涉及摄像装置。本公开特别涉及具有包括层叠在半导体基板上的光电变换膜的光电变换部的摄像装置。
背景技术
作为MOS(Metal Oxide Semiconductor:金属氧化物半导体)型的摄像装置,提出了层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中,在半导体基板的表面层叠光电变换膜。摄像装置将在光电变换膜内通过光电变换产生的电荷储存到电荷储存区域(称作“浮动扩散区”)中。摄像装置在半导体基板内使用CCD(Charge Coupled Device:电荷耦合器件)电路或CMOS(Complementary MOS:互补金属氧化物半导体)电路将该储存的电荷读出。
在摄像装置的领域中,由噪声降低的要求。特别是,有想要将在复位时发生的kTC噪声降低的要求。kTC噪声也被称作“复位噪声”。
专利文献1公开了设有反馈电路的摄像装置。反馈电路使像素中的放大晶体管的输出信号负反馈。专利文献1公开了通过在电荷储存区域的复位时形成反馈电路,能够降低kTC噪声的影响。此外,在连接在反馈放大器的输出端子上的反馈信号线与电荷储存区域中的与反馈信号线同层的金属布线之间配置有电源布线。由此,降低了反馈信号线与金属布线之间的耦合电容。
为了参考,在本说明书中引用国际公开第2014/002367号的公开内容的全部。
此外,在专利文献2中,记载有在像素内形成反馈电路,实现高速/低噪声的摄像装置。
专利文献1:国际公开第2014/002367号
专利文献2:日本特开2016-127593号公报
发明内容
要求具备能够进一步降低kTC噪声的影响的摄像装置及具备该摄像装置的照相机系统。
一种摄像装置,具备:半导体基板;多个像素,在上述半导体基板上在第一方向上排列;以及信号线,沿着上述第一方向延伸,传送来自上述多个像素的输出;上述多个像素分别具备:光电变换部,通过光电变换生成电荷;电荷储存区域,电连接到上述光电变换部,储存上述电荷;放大晶体管,栅极连接到上述电荷储存区域,将与储存在上述电荷储存区域中的电荷的量对应的信号向上述信号线输出;第一电容元件,具有第一端子、第二端子,第一端子连接到上述电荷储存区域;第二电容元件,具有第三端子、第四端子,上述第三端子连接到上述第二端子,上述第四端子连接到基准电位;反馈晶体管,源极及漏极中的一方连接到上述第二端子;以及反馈电路,形成使上述放大晶体管的输出经由上述反馈晶体管向上述电荷储存区域负反馈的反馈路径;上述反馈路径中的从上述反馈晶体管到上述第一电容元件的路径,位于比上述信号线更靠上述半导体基板一侧。
根据本公开的一技术方案,提供一种能够进一步降低kTC噪声等的噪声的摄像装置及具备该摄像装置的照相机系统。
附图说明
图1是示意地表示有关实施方式1的摄像装置的例示性的电路结构的图。
图2是表示有关实施方式1的像素的例示性的电路结构的图。
图3是示意地表示有关实施方式1的像素中的一部分的元件及一部分的布线的布局的一例的平面图。
图4是示意地表示图3所示的A-A’线截面的剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的