[发明专利]一种集成式植物生长光源封装结构及其制作工艺

权利要求书

1.一种集成式植物生长光源封装结构，其特征在于：包括基板，所述基板上设置有一圈围坝胶，所述基板表面设置有一负极焊盘和一正极焊盘，所述基板上设置有一晶片组件，且晶片组件位于所述围坝胶内，所述晶片组件包括波长为365~380nm的第一晶片、波长为405~425nm的第二晶片、波长为445~465nm的第三晶片、波长为520~550nm的第四晶片、波长为575~590nm的第五晶片、波长为650~656nm的第六晶片、波长为725~735nm的第七晶片中任意两种、或者任意两种以上组合的晶片，且晶片组件中的各个晶片进行串联或者并联连接，所述晶片组件中的首个晶片通过金线与所述负极焊盘连接，所述晶片组件中的最后一个晶片通过金线与所述正极焊盘连接；所述晶片组件、负极焊盘、正极焊盘通过硅胶封装在基板上。

2.根据权利要求1所述的一种集成式植物生长光源封装结构，其特征在于：所述晶片组件中的各个晶片均通过固晶胶进行固定在基板上。

3.一种集成式植物生长光源封装结构的制作工艺，其特征在于包括以下步骤：

步骤S01：进行植物生长所需光谱提取；

步骤S02：依据提取的植物生长光谱对晶片波长及数量比例搭配,并进行光谱拟合；

步骤S03：提供一基板，所述基板上设置有一圈围坝胶形成碗杯，所述基板表面设置有一负极焊盘和一正极焊盘；

步骤S04：将光谱拟合后所需的不同种类晶片固定到碗杯相应位置，通过串或并联方式连接负极焊盘和正极焊盘，以达到高电压和高功率输出及多光谱输出；

步骤S05：将所述晶片、负极焊盘、正极焊盘通过硅胶封装在所述基板上。

4.根据权利要求3所述的集成式植物生长光源封装结构的制作工艺，其特征在于：所述硅胶内分散有绝缘粒子；所述绝缘粒子的光线穿透率介于80%~100% 。

5.根据权利要求1所述的集成式植物生长光源封装结构的制作工艺，其特征在于：所述绝缘粒子直径介于10nm~10um。

6.根据权利要求1所述的集成式植物生长光源封装结构的制作工艺，其特征在于：所述绝缘粒子的材质成分包括但不限于氧化硅、氧化锆、硅氧化合物、以及硅化合物。

7.根据权利要求1所述的集成式植物生长光源封装结构的制作工艺，其特征在于：所述绝缘粒子为透明色绝缘粒子。

8.根据权利要求1所述的集成式植物生长光源封装结构的制作工艺，其特征在于：所述晶片包括波长为365~380nm的第一晶片、波长为405~425nm的第二晶片、波长为445~465nm的第三晶片、波长为520~550nm的第四晶片、波长为575~590nm的第五晶片、波长为650~656nm的第六晶片、波长为725~735nm的第七晶片中任意两种、或者任意两种以上组合的晶片。