[发明专利]一种集成式植物生长光源封装结构及其制作工艺

说明书

本发明提供了一种集成式植物生长光源封装结构及其制作工艺，包括基板，所述基板上设置有一圈围坝胶，所述基板表面设置有一负极焊盘和一正极焊盘，所述基板上设置有一晶片组件，且晶片组件位于所述围坝胶内，所述晶片组件中的各个晶片进行串联或者并联连接，所述晶片组件中的首个晶片通过金线与所述负极焊盘连接，所述晶片组件中的最后一个晶片通过金线与所述正极焊盘连接；所述晶片组件、负极焊盘、正极焊盘通过硅胶封装在基板上。本发明的制作工艺简单，整体结构降低了企业的制造成本，克服了现有小功率封装热阻偏高的问题。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其针对全光谱系列植物照明的半导体封装技术，特别是一种集成式植物生长光源封装结构。

背景技术

目前植物生长光源封装技术采用传统SMD（表面贴装器件）封装，SMD封装体为单一波长芯片，功率在3W以内，组装成灯具时将单独的封装体贴覆到基板上，通过在基板上设计电路完成回路连接；传统SMD（表面贴装器件）封装技术存在如下问题：

1. 目前技术采用中小功率单波长芯片封装，光谱单一，需多种波长灯珠组装才能满足植物照明生长需求，生产制造成本高，组装费用比集成式高5-10% ；

2. 传统中小功率封装热阻偏高，且功率只能做到3W内，无法足高功率输出及大面积植物照明生长需求。

此外，现有对植物的光照调节还通过光谱调节电路进行调节，其不仅电路复杂，成本高，而且LED经过调节极大缩短使用寿命，对于一些简易特定环境的照明并不适用。

发明内容

为克服上述问题，本发明的目的是提供一种集成式植物生长光源封装结构，改善传统中小功率灯珠单一光谱输出的情况，可实现全光谱输出，降低制造成本。

本发明采用以下方案实现：一种集成式植物生长光源封装结构，包括基板，所述基板上设置有一圈围坝胶，所述基板表面设置有一负极焊盘和一正极焊盘，所述基板上设置有一晶片组件，且晶片组件位于所述围坝胶内，所述晶片组件包括波长为365~380nm的第一晶片、波长为405~425nm的第二晶片、波长为445~465nm的第三晶片、波长为520~550nm的第四晶片、波长为575~590nm的第五晶片、波长为650~656nm的第六晶片、波长为725~735nm的第七晶片中任意两种、或者任意两种以上组合的晶片，且晶片组件中的各个晶片进行串联或者并联连接，所述晶片组件中的首个晶片通过金线与所述负极焊盘连接，所述晶片组件中的最后一个晶片通过金线与所述正极焊盘连接；所述晶片组件、负极焊盘、正极焊盘通过硅胶封装在基板上。

进一步的，所述晶片组件中的各个晶片均通过固晶胶进行固定在基板上。

本发明的另一目的是提供一种集成式植物生长光源封装结构的制作工艺，能改善传统中小功率灯珠单一光谱输出的情况，可实现全光谱输出，降低制造成本。

本发明采用以下方案实现：一种集成式植物生长光源封装结构的制作工艺，其特征在于包括以下步骤：

步骤S01：进行植物生长所需光谱提取；

步骤S02：依据提取的植物生长光谱对晶片波长及数量比例搭配,并进行光谱拟合；

步骤S03：提供一基板，所述基板上设置有一圈围坝胶形成碗杯，所述基板表面设置有一负极焊盘和一正极焊盘；

步骤S04：将光谱拟合后所需的不同种类晶片固定到碗杯相应位置，通过串或并联方式连接负极焊盘和正极焊盘，以达到高电压和高功率输出及多光谱输出；

步骤S05：将所述晶片、负极焊盘、正极焊盘通过硅胶封装在所述基板上。

进一步的，所述硅胶内分散有绝缘粒子；所述绝缘粒子的光线穿透率介于80%~100% 。

进一步的，所述绝缘粒子直径介于10nm~10um。