[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

在衬底上形成栅叠层；

在所述栅叠层上形成停止层，所述停止层共形地覆盖所述栅叠层；

在所述停止层上形成牺牲层；

将所述牺牲层图案化，使得所述牺牲层在所述栅叠层侧壁的部分保留从而形成牺牲侧墙；

采用所述栅叠层和所述牺牲侧墙作为第一硬掩模，在所述衬底上进行第一次离子注入，以形成源漏区；

去除所述牺牲侧墙；以及

采用所述栅叠层作为第二硬掩模，在所述衬底上进行第二次离子注入，以形成轻掺杂漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述停止层的材料包括硅酸乙酯，所述牺牲层的材料包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成牺牲侧墙的步骤包括：采用各向异性蚀刻法对所述牺牲层进行蚀刻，其中，所述蚀刻在到达所述停止层时停止。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除所述牺牲侧墙的步骤包括：采用各向异性蚀刻法对所述牺牲侧墙进行蚀刻，其中，所述蚀刻在到达所述停止层时停止。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一次离子注入的步骤和所述第二次离子注入的步骤中注入N型掺杂剂，且所述第二次离子注入的掺杂剂浓度小于所述第一次离子注入的掺杂剂浓度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲侧墙的形貌呈圆滑状。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述停止层的厚度为500至1000埃。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层的厚度为1500至3000埃。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件为NMOS器件，在形成所述栅叠层的步骤之前，还包括：

在所述衬底中形成P型阱区，所述栅叠层位于所述P型阱区上，所述源区、漏区和轻掺杂漏区位于所述P型阱中且分别掺杂为N型。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件为CMOS器件，在形成所述栅叠层的步骤之前，还包括：

在所述衬底中形成P型阱区和N型阱区，所述栅叠层包括位于所述P型阱区上的第一栅叠层和位于所述N型阱区上的第二栅叠层，所述第二栅叠层的两侧保留侧墙，

所述轻掺杂漏区位于所述P型阱中且分别掺杂为N型，所述P型阱区中的源漏区分别掺杂为N型，所述N型阱区中的源漏区分别掺杂为P型。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一栅叠层和所述第二栅叠层分别包括栅极导体和栅极介质，所述栅极介质位于所述栅极导体和所述阱区之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在进行第一次离子注入的步骤、去除所述牺牲侧墙步骤、以及进行第二次离子注入的步骤中，采用光致抗蚀剂掩模遮挡所述N型阱区以及所述第二栅叠层。

13.根据权利要求10所述的方法，在形成所述P型阱区和所述N型阱区的步骤之后，还包括在所述P型阱区和所述N型阱区之间形成场氧区以进行隔离。

14.一种半导体器件，包括：

衬底；

栅叠层，位于所述衬底上方；

停止层，共形地覆盖所述栅叠层；

位于所述半导体衬底中的轻掺杂漏区、源漏区，

其中，所述轻掺杂漏区位于所述栅叠层和所述漏区之间，并且所述轻掺杂漏区的掺杂浓度小于所述漏区的掺杂浓度。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述停止层的材料包括硅酸乙酯，所述牺牲侧墙的材料包括多晶硅。