[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域周围的周边区域，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成栅极金属图案、栅绝缘层和有源层，所述栅极金属图案包括信号线和栅极，所述信号线位于所述周边区域；

在形成所述有源层之后和形成源漏极金属图案之前，通过构图工艺形成贯穿所述有源层和所述栅绝缘层的第一过孔，并通过所述构图工艺形成有源层图案，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域；

在形成有所述有源层图案的衬底基板上形成所述源漏极金属图案，所述源漏极金属图案包括源漏极走线，所述源漏极走线通过所述第一过孔与所述信号线电连接；

在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层；

在形成有所述钝化层的衬底基板上形成第一电极图案，所述第一电极图案包括位于所述周边区域的电极保护子图案，所述源漏极金属图案还包括源极、漏极和源漏极信号传输线，所述栅极金属图案还包括栅极信号传输线，所述源漏极信号传输线用于所述信号线向所述源极或漏极传输信号，所述栅极信号传输线用于所述信号线向所述栅极传输信号；所述电极保护子图案在所述衬底基板上的正投影覆盖位于所述周边区域的所述源漏极信号传输线和所述栅极信号传输线在所述衬底基板上的正投影。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成贯穿所述有源层和所述栅绝缘层的第一过孔，并通过所述构图工艺形成有源层图案，包括：

在所述有源层远离所述衬底基板的一面上形成光刻胶层；

从所述光刻胶层远离所述衬底基板的一侧，采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光；

对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一子图案和第二子图案，所述第一子图案位于沟道区域的正上方，且所述第一子图案的厚度大于所述第二子图案的厚度；

通过刻蚀工艺刻蚀所述有源层和所述栅绝缘层，以在目标区域形成所述第一过孔，所述目标区域包括除所述光刻胶图案在所述有源层上的正投影覆盖的区域以外的区域；

通过灰化工艺去除所述第二子图案，并通过干刻工艺刻蚀所述有源层，以形成所述有源层图案；

去除所述第一子图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半色调掩膜板包括第一透光区域、第二透光区域和遮光区域，所述第一透光区域的透光度大于所述第二透光区域的透光度；

所述采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，包括：

通过所述半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，使曝光后的所述光刻胶层形成与所述第一透光区域对应的第一曝光区域，与所述第二透光区域对应的第二曝光区域，以及与所述遮光区域对应的非曝光区域；

所述对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以形成光刻胶图案，包括：

对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以去除所述第一曝光区域上的光刻胶，并使所述第二曝光区域形成所述第二子图案，所述非曝光区域形成所述第一子图案。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺刻蚀所述有源层和所述栅绝缘层，包括：

通过干刻工艺刻蚀所述有源层和所述栅绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过构图工艺在所述钝化层上形成贯穿所述钝化层的第二过孔，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域；

所述第一电极图案还包括位于所述周边区域的电极引线，所述电极引线通过所述第二过孔与所述源漏极走线电连接。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层之前，所述方法还包括：

在形成有所述有源层图案的衬底基板上通过构图工艺形成第二电极图案；

所述在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层，包括：

在形成有所述第二电极图案和所述源漏极金属图案的衬底基板上形成所述钝化层。