[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201810258985.6 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108511394B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 张正东;苏磊;杨小飞;郭明周;刘旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。方法包括:提供一衬底基板;在衬底基板上依次形成栅极金属图案、栅绝缘层和有源层,栅极金属图案包括信号线和栅极,信号线位于周边区域;通过构图工艺形成贯穿有源层和栅绝缘层的第一过孔,并通过构图工艺形成有源层图案,第一过孔在衬底基板上的正投影与信号线在衬底基板上的正投影存在重叠区域;在形成有有源层图案的衬底基板上形成源漏极金属图案,源漏极金属图案包括源漏极走线,源漏极走线通过第一过孔与信号线电连接;在形成有源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层。本发明解决了相关技术中阵列基板的可靠性较低的问题。本发明用于阵列基板的制造。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
液晶显示装置包括阵列基板,阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称:TFT),TFT可以包括依次层叠设置的栅极金属图案、栅绝缘层、有源层图案、第一电极图案、源漏极金属图案、钝化层和第二电极图案,向该阵列基板上的TFT输入电信号,能够达到显示图像的效果。
相关技术中,通常采用6次构图工艺形成TFT,具体过程包括:在衬底基板上形成栅极金属层,通过一次构图工艺形成栅极金属图案,其中,栅极金属图案包括栅极和信号线,信号线位于阵列基板的显示区域周围的周边区域中;在形成有栅极金属图案的衬底基板上形成栅绝缘层;在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成有源层,通过一次构图工艺在沟道区域形成有源层图案;在形成有有源层图案的衬底基板上形成第一电极层,通过一次构图工艺形成第一电极图案;在形成有第一电极图案的衬底基板上形成源漏极金属层,通过一次构图工艺形成源漏极金属图案;在形成有源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层,通过一次构图工艺形成贯穿钝化层和栅绝缘层的过孔,该过孔在衬底基板上的正投影与信号线在衬底基板上的正投影存在重叠区域;在形成有钝化层的衬底基板上形成第二电极层,通过一次构图工艺形成第二电极图案,该第二电极图案包括位于显示区域周围的周边区域的电极引线,电极引线通过过孔与信号线电连接,以通过电极引线向信号线传输信号,其中,第一电极图案和第二电极图案分别为像素电极图案和公共电极图案中的一个。
但是,由于相关技术中的电极图案通常由氧化铟锡(英文:Indium Tin Oxide;简称:ITO)制成,ITO膜层的致密性较低,环境中的水汽易透过ITO膜层对信号线进行腐蚀,影响TFT的性能,导致阵列基板的可靠性较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,可以解决相关技术中阵列基板的可靠性较低的问题。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种阵列基板的制造方法,所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域周围的周边区域,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上依次形成栅极金属图案、栅绝缘层和有源层,所述栅极金属图案包括信号线和栅极,所述信号线位于所述周边区域;
通过构图工艺形成贯穿所述有源层和所述栅绝缘层的第一过孔,并通过所述构图工艺形成有源层图案,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域;
在形成有所述有源层图案的衬底基板上形成源漏极金属图案,所述源漏极金属图案包括源漏极走线,所述源漏极走线通过所述第一过孔与所述信号线电连接;
在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层。
可选的,所述通过构图工艺形成贯穿所述有源层和所述栅绝缘层的第一过孔,并通过所述构图工艺形成有源层图案,包括:
在所述有源层远离所述衬底基板的一面上形成光刻胶层;
从所述光刻胶层远离所述衬底基板的一侧,采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光;
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