[发明专利]一种含有PTFE的多层PCB的制作方法

权利要求书

1.一种含有PTFE的多层PCB的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供采用RTF铜箔的PTFE基板；

(2)蚀刻线路，蚀刻线路后的PTFE基板不做棕化线；

(3)在蚀刻后的PTFE基板表面做plasma表面等离子活化处理；

(4)压合程序，并将压合前的滞留时间控制在4h以内；

(5)完成压合，从而获得含有PTFE的多层PCB；

步骤(3)所述plasma表面等离子活化处理的温度控制在25～60℃以内；

所述plasma表面等离子活化处理的时间控制在1h以内；

步骤(4)所述压合程序的升温速率为＞3℃/min。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述PTFE基板不做任何形式的磨板和微蚀。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述plasma表面等离子活化处理的射频控制在4000～4300W。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述plasma表面等离子活化处理分两步进行，其中第一步是采用O₂、N₂和H₂气体在220～250Torr的压力下、等离子体气流量为2～3LT/min的条件下处理10～18min；第二步是采用N₂和H₂气体在220～250Torr的压力下、等离子体气流量为2～3LT/min的条件下处理42～50min。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)提供采用RTF铜箔的PTFE基板，开料后不做任何形式的磨板和微蚀；

(2)蚀刻线路，蚀刻线路后的PTFE基板不做棕化线；

(3)在蚀刻后的PTFE基板表面做plasma表面等离子活化处理，所述plasma表面等离子活化处理的温度控制在25～60℃以内，时间控制在1h以内；

所述plasma表面等离子活化处理具体为：第一步采用O₂、N₂和H₂气体在220～250Torr的压力下、等离子体气流量为2～3LT/min的条件下处理10～18min；第二步采用N₂和H₂气体在220～250Torr的压力下、等离子体气流量为2～3LT/min的条件下处理42～50min；

(4)压合程序，并将压合前的滞留时间控制在4h以内；

(5)完成压合，从而获得含有PTFE的多层PCB。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)前还包括步骤(1＇)：在PCB板的四周设置铆钉孔。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有PTFE的多层PCB，其PTFE多层板与PP间的结合力≥0.4N/mm。

8.如权利要求1-7之一所述的方法制作而成的含有PTFE的多层PCB。