[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其具有NMOS区域和PMOS区域；

层间绝缘层，其设置在所述衬底上，具有设置在所述衬底的所述NMOS区域中的第一沟槽和设置在所述衬底的所述PMOS区域中的第二沟槽；

第一盖层，其设置在所述第一沟槽的上部中；

第一栅极绝缘层，其设置在所述第一沟槽的下部中并且沿着所述第一沟槽的侧壁和底表面延伸；

第一栅电极结构，其设置在所述第一沟槽的所述下部中并且设置在所述第一栅极绝缘层上，其中所述第一栅电极结构包括设置在所述第一栅极绝缘层上的第一阻挡层、设置在所述第一阻挡层上的第一栅电极层、以及设置在所述第一栅电极层上的第二阻挡层；

第二盖层，其设置在所述第二沟槽的上部中；

第二栅极绝缘层，其设置在所述第二沟槽的下部中并且沿着所述第二沟槽的侧壁和底表面延伸；以及

第二栅电极结构，其设置在所述第二沟槽的所述下部中并且设置在所述第二栅极绝缘层上，其中所述第二栅电极结构包括设置在所述第二栅极绝缘层上的第三阻挡层、设置在所述第三阻挡层上的第二栅电极层、以及设置在所述第二栅电极层上的第三栅电极层，

其中所述第二阻挡层、所述第一盖层、所述第一栅极绝缘层、所述第一阻挡层和所述第一栅电极层填充所述第一沟槽，

其中所述第三栅电极层、所述第二盖层、所述第二栅极绝缘层、所述第三阻挡层和所述第二栅电极层填充所述第二沟槽，

其中所述第一栅电极层和所述第三栅电极层包括基本相同的材料，

其中所述第二阻挡层和所述第二栅电极层包括基本相同的材料，以及

其中所述第二栅电极层和所述第三栅电极层包括不同的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一栅电极层和所述第三栅电极层的每个包含钛铝碳化物，以及

其中所述第二栅电极层包含钛氮化物。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一阻挡层与所述第一栅极绝缘层接触，

其中所述第三阻挡层与所述第二栅极绝缘层接触，以及

其中所述第一阻挡层和所述第三阻挡层的每个包含钛氮化物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一栅电极层的厚度大于所述第二阻挡层的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一栅电极层的厚度等于所述第二阻挡层的厚度或小于所述第二阻挡层的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第五栅电极层，其插置在所述第一阻挡层与所述第一栅电极层之间，

其中所述第五栅电极层和所述第二栅电极层包含基本相同的材料。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述第二栅电极层的厚度大于所述第五栅电极层的厚度。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

氧化物层，其插置在所述第一栅极绝缘层与所述第一阻挡层之间。