[发明专利]一种水溶性硅的制备方法在审
| 申请号： | 201810264198.2 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108383126A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黄永生;刘平;李朗;唐志驹 | 申请（专利权）人： | 珠海聚美健科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人： | 邹常友 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水溶性硅 二氧化硅 制备 偏硅酸 原液 结晶体 规模化生产 持续高温 冷却液化 硅元素 固化 烧灸 品位 | ||
1.一种水溶性硅的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：
(1)第一次真空高温处理：将二氧化硅石投入到反应釜内在真空环境下加热，加热至500℃～700℃，煅烧处理；
(2)第二次真空高温处理：将二氧化硅石在反应釜内于真空环境下继续加热，加热至1000℃～1200℃，煅烧成熔融状态；
(3)第三次真空高温处理：将步骤(3)中生成的熔融状态的二氧化硅石在反应釜内于真空环境下继续加热，加热至2200℃～2600℃，使固态的二氧化硅石气化；
(4)在气化的二氧化硅石中提取出气化的偏硅酸根；
(5)将气化的偏硅酸根于冷却塔中快速冷却液化，形成液态的偏硅酸根，即得到水溶性硅元素原液。
2.根据权利要求1所述的一种水溶性硅的制备方法，其特征在于，还包括有步骤(6)：将液态的偏硅酸根固化，形成水溶性硅元素结晶体。
3.根据权利要求1所述的一种水溶性硅的制备方法，其特征在于，所述的二氧化硅石为云南、石家庄标准硅矿石英砂提取物。
4.根据权利要求1所述的一种水溶性硅的制备方法，其特征在于，在第一次真空高温处理中，加热温度为600℃。
5.根据权利要求1所述的一种水溶性硅的制备方法，其特征在于，在第二次真空高温处理中，加热温度为1100℃。
6.根据权利要求1所述的一种水溶性硅的制备方法，其特征在于，从第一次真空高温处理至第三次真空高温处理的持续时长为7～9h。
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