[发明专利]一种水溶性硅的制备方法

说明书

一种水溶性硅的制备方法。本发明将高品位的二氧化硅石从低温到高温经过三次真空持续高温烧灸处理，使得二氧化硅石形成气态，然后在气态的二氧化硅石中提取出气态的偏硅酸根，再将气态的偏硅酸根冷却液化，得到水溶性硅元素原液，最后将水溶性硅元素原液固化，得到水溶性硅元素结晶体，该方法制备的水溶性硅硅元素含量高，使得水溶性硅可规模化生产。

【技术领域】

本发明食品生产技术领域，具体是指一种水溶性硅的制备方法。

【背景技术】

硅是科技应用前沿的热门元素，是一种具有生物活性的不可或缺的微量元素，是人体必须的微量元素，硅更是人类健康长寿的保障，被誉为“救命硅”。

大自然中硅以多种形式存在，却难以被人体直接吸收。因为饮食营养偏缺及环境污染等众所周知的原因，人们摄取的水、食物里含有的水溶性硅等微量元素越来越缺少，以往通过食物就可以摄取足够的硅元素的时代已经不复存在。

科学研究中解决的办法是将硅处理成可溶于水的形式，配合其他人体需要的成分，可以达到补硅目的，保障人体健康。因此，研究发明一种可以通过人工来提炼生产水溶性偏硅酸的技术已经非常必要。在美国，德国，英国，芬兰等西方国家对偏硅酸盐有详细的研究和应用历史，特别是日本在食用水溶性硅的研究上走在了世界的前列，但是目前的技术研究中，只能提炼偏硅酸液体，不能提取偏硅酸矿。

【发明内容】

针对现有技术中的上述技术问题，本发明提供了一种可规模化生产的水溶性硅的制备方法。

为了解决上述存在的技术问题，本发明采用下述技术方案：

一种水溶性硅的制备方法，具体制备步骤如下：

（1）第一次真空高温处理：将二氧化硅石投入到反应釜内在真空环境下加热，加热至500℃~700℃，煅烧处理；

（2）第二次真空高温处理：将二氧化硅石在反应釜内于真空环境下继续加热，加热至1000℃~1200℃，煅烧成熔融状态；

（3）第三次真空高温处理：将步骤（3）中生成的熔融状态的二氧化硅石在反应釜内于真空环境下继续加热，加热至2200℃~2600℃，使固态的二氧化硅石气化；

（4）在气化的二氧化硅石中提取出气化的偏硅酸根；

（5）将气化的偏硅酸根于冷却塔中快速冷却液化，形成液态的偏硅酸根，即得到水溶性硅元素原液。

在进一步的改进方案中，还包括有步骤（6）：将液态的偏硅酸根固化，形成水溶性硅元素结晶体。

在进一步的改进方案中，所述的二氧化硅石为云南、石家庄标准硅矿石英砂提取物。

在进一步的改进方案中，在第一次真空高温处理中，加热温度为600℃。

在进一步的改进方案中，在第二次真空高温处理中，加热温度为1100℃。

在进一步的改进方案中，从第一次真空高温处理至第三次真空高温处理的持续时长为7~9h。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明将高品位的二氧化硅石从低温到高温经过三次真空持续高温烧灸处理，使得二氧化硅石形成气态，然后在气态的二氧化硅石中提取出气态的偏硅酸根，再将气态的偏硅酸根冷却液化，得到水溶性硅元素原液，最后将水溶性硅元素原液固化，得到水溶性硅元素结晶体，该方法制备的水溶性硅硅元素含量高，使得水溶性硅可规模化生产。

下面结合具体实施方式对本发明作进一步的详细描述：

【具体实施方式】

实施例一：

一种水溶性硅的制备方法，具体制备步骤如下：