[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括:

第一半导体层，具有第一掺杂类型；

第二半导体层，位于所述第一半导体层上方，具有第二掺杂类型；

第三半导体层，位于所述第二半导体层上方，具有第一掺杂类型；

第四半导体层，位于所述第三半导体层上方，具有第二掺杂类型；

第五半导体层，位于所述第四半导体层上方，具有第一掺杂类型；

其中，在所述半导体器件上施加的电压的绝对值大于预定值电压之后，所述第三半导体层被穿通，使得所述第二半导体层与第四半导体层电连接，

根据所述预定值电压和导通电阻来设置第三半导体层的厚度，使得施加电压大于预定值电压后被穿通，

所述第一半导体层和所述第二半导体层构成第一PN结，所述第四半导体层和所述第五半导体层构成第二PN结，所述第三半导体层在所述第一PN结或第二PN结发生反向击穿前被穿通。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体器件上施加的电压的绝对值大于预定值电压之前，

所述第一半导体层与所述第二半导体层之间具有第一寄生电容，所述第二半导体层与所述第三半导体层之间具有第二寄生电容，所述第三半导体层与所述第四半导体层之间具有第三寄生电容，所述第四半导体层与所述第五半导体层之间具有第四寄生电容；

所述第一寄生电容、所述第二寄生电容、所述第三寄生电容、所述第四寄生电容串联。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三半导体层被穿通之后，所述半导体器件为三极管。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体层的掺杂浓度和第二半导体层的掺杂浓度均大于所述第三半导体层的掺杂浓度，所述第四半导体层和所述第五半导体层的掺杂浓度均大于所述第三半导体层的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三半导体层为外延层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二半导体层为埋层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括隔离结构，所述隔离结构由所述第五半导体层的表面延伸至所述第一半导体层中。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构依次穿过所述第五半导体层、第四半导体层、第三半导体层、第二半导体层后延伸至所述第一半导体层中。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括与所述第五半导体层相连的第一电极，以及与所述第一半导体层相连的第二电极，

所述第一电极与所述第二电极中的其中一个用于与输入/输入端子相连，另一个接地。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述预定值电压为所述半导体器件的最大反向工作电压。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为双向瞬态电压抑制器，所述第一PN结或第二PN被反向击穿时，所述半导体器件的电压被箝位。

12.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在具有第一掺杂类型的第一半导体层上形成具有第二掺杂类型的第二半导体层；

在所述第二半导体层上形成具有第一掺杂类型的第三半导体层；

在所述第三半导体层上形成具有第二掺杂类型的第四半导体层；

在所述第四半导体层上形成具有第一掺杂类型的第五半导体层；

通过调节所述第三半导体层的掺杂浓度,使得在所述半导体器件上施加的电压的绝对值大于预定值电压之后，所述第三半导体层被穿通,从而使得所述第二半导体层与所述第四半导体层电连接，

其中，根据所述预定值电压和导通电阻来设置第三半导体层的厚度，使得施加电压大于预定值电压后被穿通，

所述第一半导体层和所述第二半导体层构成第一PN结，所述第四半导体层和所述第五半导体层构成第二PN结，所述第三半导体层在所述第一PN结或第二PN结发生反向击穿前被穿通。