[发明专利]密封圈修整方法在审
申请号: | 201810266476.8 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN110319190A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 张辉 | 申请(专利权)人: | 西安柏宜斯信息技术有限公司 |
主分类号: | F16J15/00 | 分类号: | F16J15/00 |
代理公司: | 上海知义律师事务所 31304 | 代理人: | 杨楠 |
地址: | 710000 陕西省西安市沣东新城征和*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 密封圈 修补 修整 破损 半导体单晶硅 制造成本 可重复 截取 粘接 能源 环保 | ||
本发明公开了一种密封圈修整方法,包括如下步骤:S1将密封圈中的破损部分进行减除,形成待修补部分;S2截取与该修补部分具有相同形状和尺寸的修补块;S3将修补块粘接在密封圈的待修补部分。本发明所提供的密封圈修整方法,可重复利用破损的密封圈,有效减低半导体单晶硅制造成本,节省能源,更加环保。
技术领域
本发明涉及半导体单晶硅的制造领域,尤其涉及半导体单晶硅制造过程中所使用的密封圈修正方法。
背景技术
半导体单晶的拉制需要在高度的真空状态下进行制备,维系这种高度真空状态,炉台的气密性显得尤为重要,为此设备各接口处的密封圈显得尤为重要。密封圈的磨损老化程度直接影响到产品的质量和生产成本。以往做法,密封圈个别地方出现破损老化,就直接更换,大大的增加了生产成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种密封圈修整方法。
本发明所提供的密封圈修整方法,包括如下步骤:
S1将密封圈中的破损部分进行减除,形成待修补部分;
S2截取与该修补部分具有相同形状和尺寸的修补块;
S3将修补块粘接在密封圈的待修补部分。
进一步,本发明所提供的密封圈修整方法还包括S4粘接后续处理步骤。
所述S4粘接后续处理步骤包括:
S41将进行粘接处理后的密封圈放置在恒温恒湿的保温箱中烘烤30分钟;
S42将修补粘合的密封圈取出保温箱,常温下冷却。
所述S2截取与该修补部分具有相同形状和尺寸的修补块的步骤包括:在与被修补的密封圈具有同等型号其他损坏的密封圈上剪取完好的部分,剪取长度等同修补密封圈损坏长度。
在所述S1将密封圈中的破损部分进行减除,形成待修补部分的步骤之前,还包括:收集存储损坏的密封圈。
本发明所提供的密封圈修整方法,可重复利用破损的密封圈,有效减低半导体单晶硅制造成本,节省能源,更加环保。
附图说明
图1为本发明实施例所述的密封圈修整方法流程示意图;
图2为图1中示出的粘接后续处理步骤的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,本实施例提供一种密封圈修整方法,包括如下步骤:
S1将密封圈中的破损部分进行减除,形成待修补部分;
S2截取与该修补部分具有相同形状和尺寸的修补块;
S3将修补块粘接在密封圈的待修补部分。
本实施例提供一种密封圈修整方法还包括S4粘接后续处理步骤。
如图2所示,所述粘接后续处理步骤,包括:
S41将进行粘接处理后的密封圈放置在恒温恒湿的保温箱中烘烤30分钟;
S42将修补粘合的密封圈取出保温箱,常温下冷却。这样可确保粘合剂和密封圈修补部分能够充分反应,粘合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安柏宜斯信息技术有限公司,未经西安柏宜斯信息技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810266476.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:接合两个齿轮元件的方法以及实现这种方法的驱动设备
- 下一篇:预留套管密封装置