[发明专利]可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法

权利要求书

1.一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片(1)，其特征在于：

还包含两根引线(2)，两根引线(2)分别从芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。

2.一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，包括晶圆本体(3)和阵列在晶圆本体(3)上的多个芯片(1)，其特征在于：

所述晶圆本体(3)上还设有测试区(4)；测试区(4)包括Vdd端和Vss端；

所有芯片(1)还包含两根引线(2)，两根引线(2)分别从芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘；所有芯片(1)的Vdd端通过引线(2)与测试区(4)的Vdd端连接，所有芯片(1)的Vss端通过引线(2)与测试区(4)的Vss端连接。

3.根据权利要求2所述的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，其特征在于：所述晶圆本体(3)上设有划片槽(5)，所有引线(2)布置在划片槽(5)内。

4.根据权利要求2或3所述的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，其特征在于：所述晶圆本体(3)划分有多个芯片集束群(6)，每个芯片集束群(6)包括多个芯片(1)；每个芯片集束群(6)对应一个测试区(4)，或多个芯片集束群(6)对应一个测试区(4)，或所有芯片集束群(6)对应一个测试区(4)。

5.根据权利要求4所述的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，其特征在于：所述测试区(4)设有1～4个Vdd端口以及相应数量的Vss端口。

6.根据权利要求5所述的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，其特征在于：所述测试区(4)设有2个或4个Vdd端口。

7.一种可实现集束晶圆级老化的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)在晶圆本体(3)上设置多个芯片、至少一个测试区(4)，芯片间设有划片槽(5)，所有芯片的Vdd端通过引线(2)与测试区(4)的Vdd端连接，所有芯片的Vss端通过引线(2)与测试区(4)的Vss端连接，引线(2)布置在划片槽(5)内；

步骤2)用Vdd探针和Vss探针与测试区(4)的Vdd端和Vss端接触进行老化处理；

步骤3)对晶圆本体(3)按照划片槽(5)进行切割，划片槽(5)内的引线被切割掉，形成独立的芯片，芯片Vdd端和Vss端的引线(2)保留。

8.根据权利要求7所述的一种可实现集束晶圆级老化的处理方法，其特征在于：步骤1)中晶圆本体(3)划分为多个芯片集束群(6)，每个芯片集束群(6)包括多个芯片；每个芯片集束群(6)对应一个测试区(4)，或多个芯片集束群(6)对应一个测试区(4)，或所有芯片集束群(6)对应一个测试区(4)。