[发明专利]可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法

说明书

本发明涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法。本发明提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象，提高了芯片打线的可靠性。本发明提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计，晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。本发明提出的一种集束晶圆级老化处理方法，该方法可有效提高芯片老化处理的可靠性，同时提高芯片的质量。一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片，还包含两根引线，所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。

技术领域

本发明涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法。

背景技术

晶圆级老化处理是基于温度加速法筛选早期失效芯片的有效方法。

晶圆级老化处理的方法应该满足如下要求：1)不应该毁坏芯片本身；2)应用方便。

现有的晶圆级老化处理方法是：在高温下，如165度下通电90分钟后，再测试芯片的基本参数，将失效的芯片剔除出去，该方法加速模拟芯片澡盆形状早期失效的环境，因此可以减小产品的现场失效机会。

图1所示是现有技术中一个典型的晶圆级老化处理：在一个晶圆上，每颗芯片的电源端Vdd都需要一个探针，用于提供电源，另外，在每一个芯片的Vss端也需要一个探针。这样，在老化时，就会有2N个探针作用在晶圆上，导致如下缺陷：

1)探针过多，导致成本过高；

2)可靠性变差。过多的探针接触所有芯片的可靠性变差，有可能导致有的芯片漏掉老化处理；

3)每一个芯片电源和地的打线端上都会产生探针印，会影响后续打线的可靠性，从而影响产品的可靠性。

发明内容

为克服上述现有技术中存在的不足，本发明提出一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象，提高了芯片打线的可靠性。

本发明还提出一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。

本发明还提出一种可实现集束晶圆级老化的处理方法，该方法可有效提高芯片老化处理的可靠性，同时提高芯片的质量。

本发明解决上述问题的技术方案是：

一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片，其特殊之处在于：

还包含两根引线，所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。

本发明还提出一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，包括晶圆本体和阵列在晶圆本体上的多个上述芯片，其特殊之处在于：

所述晶圆本体上还设有测试区；测试区包括Vdd端和Vss端；

所有芯片还包含两根引线，两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘；所有芯片的Vdd端通过引线与测试区的Vdd端连接，所有芯片的Vss端通过引线与测试区的Vss端连接。

进一步地，上述晶圆本体上设有划片槽，所有引线布置在划片槽内。

进一步地，上述晶圆本体划分有多个芯片集束群，每个芯片集束群包括多个芯片；每个芯片集束群对应一个测试区，或多个芯片集束群对应一个测试区，或所有芯片集束群对应一个测试区。

进一步地，上述测试区设有1～4个Vdd端口以及相应数量的Vss端口。

进一步地，上述测试区设有2个或4个Vdd端口。