[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括设置在衬底基板上的多个像素单元；所述像素单元包括：第一薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括：第一有源图案、第一源极、第一漏极和第一栅极，所述第一栅极位于所述第一有源图案远离所述衬底基板的一侧设置，所述第一源极和所述第一漏极位于所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧设置，且分别通过不同的过孔与所述第一有源图案相连；其特征在于，所述像素单元还包括：

第一电极，与所述第一有源图案同层设置；

第二电极，与所述第一栅极同层设置；

其中，所述第一电极与所述第一漏极相连；所述第一电极、所述第二电极、所述第一漏极中的任意两个在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括：相对于所述第一电极靠近所述衬底基板的一侧设置的第三电极；

所述第三电极，且所述第三电极、所述第一电极、所述第二电极、所述第一漏极中的任意两个在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括：第二薄膜晶体管；其中，

所述第二薄膜晶体管包括：第二有源图案、第二源极、第二漏极和第二栅极，所述第二源极、所述第二漏极分别通过不同的过孔与所述第二有源图案相连；

所述第二有源图案与所述第一有源图案同层设置；所述第二源极、所述第二漏极、所述第一源极、所述第一漏极同层设置；所述第二栅极与所述第一栅极同层设置；

所述第二漏极与所述第二电极、所述第三电极相连。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括：遮光图案；所述遮光图案与所述第三电极同层设置，且所述第一有源图案和所述第二有源图案在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影内。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一有源图案的材料为氧化物半导体，所述第一电极的材料为氧化物导体；

和/或，所述第一栅极与所述第二电极的材料相同；

和/或，所述遮光图案与所述第三电极的材料相同，所述遮光图案的材料为金属。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第三电极与所述遮光图案设置在所述衬底基板上；

所述第三电极、所述遮光图案通过缓冲层与所述第一有源图案、所述第二有源图案、所述第一电极相隔离；

所述第一有源图案、所述第二有源图案、所述第一电极通过栅绝缘层与所述第一栅极、所述第二栅极、所述第二电极相隔离；

所述第一栅极、所述第二栅极、所述第二电极通过层间绝缘层与所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极相隔离；

其中，所述第二漏极通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与所述第二电极相连，并通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅绝缘层和所述缓冲层的第二过孔与所述第三电极相连；

所述第一漏极通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅绝缘层的第三过孔与第一电极相连。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括：第三薄膜晶体管和像素电极；其中，所述第三薄膜晶体管的第三栅极与所述第二电极相连，所述第三薄膜晶体管的第三漏极、所述第一薄膜晶体管的所述第一漏极与所述像素电极相连。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括：依次设置在所述像素电极上的发光功能层和第四电极。