[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可在有限的驱动电路排布区域中增大存储电容的电容量，满足高PPI的显示需要。该阵列基板包括设置在衬底基板上的多个像素单元；像素单元包括：第一薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括：第一有源图案、第一源极、第一漏极和第一栅极，第一栅极位于第一有源图案远离衬底基板的一侧设置，第一源极和第一漏极位于第一栅极远离衬底基板的一侧设置，且分别通过不同的过孔与第一有源图案相连；第一电极，与第一有源图案同层设置；第二电极，与第一栅极同层设置；第一电极与第一漏极相连；第一电极、第二电极、第一漏极中的任意两个在衬底基板上的正投影存在重叠区域。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

为实现更优的画面显示效果，显示装置中单个像素单元(Pixel)的尺寸在不断减少。像素单元中通常设置的多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)占用了像素单元中的较多区域，留给存储电容的排布区域过小，导致存储电容面积减少，从而产生存储电容的电容值难以满足高PPI(pixels per inch，每英寸的像素单元数量)的显示需求的问题。

发明内容

鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可在有限的存储电容的排布区域中增大存储电容的电容量，满足高PPI的显示需要。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面、本发明实施例提供了一种阵列基板，包括设置在衬底基板上的多个像素单元；所述像素单元包括：第一薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括：第一有源图案、第一源极、第一漏极和第一栅极，所述第一栅极位于所述第一有源图案远离所述衬底基板的一侧设置，所述第一源极和所述第一漏极位于所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧设置，且分别通过不同的过孔与所述第一有源图案相连；所述像素单元还包括：第一电极，与所述第一有源图案同层设置；第二电极，与所述第一栅极同层设置；其中，所述第一电极与所述第一漏极相连；所述第一电极、所述第二电极、所述第一漏极中的任意两个在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

可选的，所述像素单元还包括：相对于所述第一电极靠近所述衬底基板的一侧设置的第三电极；所述第三电极、所述第一电极、所述第二电极、所述第一漏极中的任意两个在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

可选的，所述像素单元还包括：第二薄膜晶体管；其中，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源图案、第二源极、第二漏极和第二栅极，所述第二源极、所述第二漏极分别通过不同的过孔与所述第二有源图案相连；所述第二有源图案与所述第一有源图案同层设置；所述第二源极、所述第二漏极、所述第一源极、所述第一漏极同层设置；所述第二栅极与所述第一栅极同层设置；所述第二漏极与所述第二电极、所述第三电极相连。

可选的，所述像素单元还包括：遮光图案；所述遮光图案与所述第三电极同层设置，且所述第一有源图案和所述第二有源图案在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影内。

可选的，所述第一有源图案的材料为氧化物半导体，所述第一电极的材料为氧化物导体；和/或，所述第一栅极与所述第二电极的材料相同；和/或，所述遮光图案与所述第三电极的材料相同，所述遮光图案的材料为金属。