[发明专利]封装结构、电子装置以及封装方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的电子器件；

位于所述电子器件上的无机层；

铝碳层，位于所述无机层上且与所述无机层接触；以及

有机层，位于所述铝碳层上且与所述铝碳层接触；

其中，所述无机层具有三层结构，所述三层结构包括依次远离所述铝碳层的铝金属层、第一无机层和第二无机层，所述第一无机层覆盖所述电子器件和至少部分所述衬底基板，

所述铝碳层是由铝膜中的靠近所述有机层的部分铝原子与用于形成所述有机层的有机材料层反应形成的，所述铝金属层与所述铝碳层之间通过化学键合力相结合，所述铝碳层包括 (R ((CH₂)_m O)_n)₃ Al，m和n为正整数，R为烷基或苯基，m=2，n=1~6。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述铝碳层位于所述铝金属层上且与所述铝金属层接触。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述第一无机层包括氧化铝。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其中，该第二无机层位于所述第一无机层的远离所述铝碳层的一侧。

5.一种电子装置，包括权利要求1-4任一所述的封装结构。

6.一种封装方法，包括：

提供设置有电子器件的衬底基板；

在所述电子器件上形成无机层；

形成铝碳层，所述铝碳层位于所述无机层上且与所述无机层接触；以及

形成有机层，所述有机层位于所述铝碳层上且与所述铝碳层接触；

其中，所述无机层具有三层结构，所述三层结构包括依次远离所述铝碳层的铝金属层、第一无机层和第二无机层，所述第一无机层覆盖所述电子器件和至少部分所述衬底基板，

所述铝碳层是由铝膜的靠近所述有机层的部分铝原子与用于形成所述有机层的有机材料层反应形成的，所述铝金属层与所述铝碳层之间通过化学键合力相结合，所述有机材料层包括 -( (CH₂)_m O-)_n 基团，m和n为正整数。

7.根据权利要求6所述的封装方法，其中，在形成所述无机层之后，所述方法包括：

形成所述铝膜，所述铝膜位于所述无机层上且与所述无机层接触；

形成所述有机材料层，所述有机材料层位于所述铝膜上且与所述铝膜接触；以及

进行加热工艺，使所述铝膜与所述有机材料层发生反应以形成所述铝碳层和所述有机层。

8.根据权利要求7所述的封装方法，其中，所述铝膜的靠近所述有机材料层的一部分与所述有机材料层发生反应，所述铝膜的靠近所述无机层的另一部分未与所述有机材料层发生反应；所述铝膜的未与所述有机材料层发生反应的部分形成所述铝金属层。

9.根据权利要求7所述的封装方法，其中，所述铝膜与位于所述有机材料层的与所述铝膜接触的表面的所述-( (CH₂)_m O-)_n基团发生反应生成所述铝碳层。

10.根据权利要求9所述的封装方法，其中，所述有机材料层包括有机溶剂，所述有机溶剂包括所述-( (CH₂)_m O-)_n基团。

11.根据权利要求9所述的封装方法，其中，m=2，n=1~6。

12.根据权利要求7-11任一项所述的封装方法，包括：进行所述加热工艺，使所述有机材料层固化并同时使所述铝膜与所述有机材料层发生反应以形成所述铝碳层和所述有机层。