[发明专利]封装结构、电子装置以及封装方法

说明书

一种封装结构、电子装置以及封装方法，该封装结构包括无机层、铝碳层和有机层。铝碳层位于所述无机层上且与所述无机层接触；有机层位于所述铝碳层上且与所述铝碳层接触。在该封装结构中，铝碳层能够提高无机层和有机层之间的结合强度，防止封装结构发生分层翘曲，并且，无机层能够更好地通过铝碳层和有机层释放其由于弯曲变形所产生的应力，从而改善或防止无机层产生裂隙，达到更好的封装效果。

技术领域

本公开至少一实施例涉及一种封装结构、电子装置以及封装方法。

背景技术

有些电子器件(例如OLED器件)对抗水汽和氧气的能力较差，如果暴露在水汽或氧气中，这些电子器件的寿命会减小。对于电子器件的封装，目前较为前沿的封装技术是薄膜封装技术。例如，可以采用多个无机封装层相互叠加的方式形成封装薄膜，也可以采用无机封装层和有机封装层相互叠加的方式形成封装薄膜。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种封装结构，该封装结构包括无机层、铝碳层和有机层。铝碳层位于所述无机层上且与所述无机层接触；有机层位于所述铝碳层上且与所述铝碳层接触。

例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述铝碳层包括(R((CH₂)_mO)_n)₃Al，m和n为正整数，R为烷基或苯基，m＝2，n＝1～6。

例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述无机层包括第一无机层和位于所述第一无机层上的铝金属层，所述铝碳层位于所述铝金属层上且与所述铝金属层接触。

例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述无机层包括氧化铝。

例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述无机层还包括第二无机层，该第二无机层位于所述第一无机层的远离所述铝碳层的一侧。

本公开至少一实施例还提供一种电子装置，该电子装置包括本公开实施例提供的任意一种封装结构。

本公开至少一实施例还提供一种封装方法，该方法包括：形成无机层；形成铝碳层，所述铝碳层位于所述无机层上且与所述无机层接触；以及形成有机层，有机层位于所述铝碳层上且与所述铝碳层接触。

例如，本公开一实施例提供的封装方法中，在形成所述无机层之后，所述方法包括：形成铝膜，所述铝膜位于所述无机层上且与所述无机层接触；形成有机材料层，所述有机材料层位于所述铝膜上且与所述铝膜接触；以及进行加热工艺，使所述铝膜与所述有机材料层发生反应以形成所述铝碳层和所述有机层。

例如，本公开一实施例提供的封装方法中，所述有机材料层包括-((CH₂)_m O-)_n基团，m和n为正整数；所述铝膜与位于所述有机材料层的与所述铝膜接触的表面的所述-((CH₂)_m O-)_n基团发生反应生成所述铝碳层。

例如，本公开一实施例提供的封装方法中，所述铝膜的靠近所述有机材料层的一部分与所述有机材料层发生反应，所述铝膜的靠近所述无机层的另一部分未与所述有机材料层发生反应；所述铝膜的未与所述有机材料层发生反应的部分形成铝金属层。

例如，本公开一实施例提供的封装方法中，所述有机材料层包括有机溶剂，所述有机溶剂包括所述-((CH₂)_m O-)_n基团。

例如，本公开一实施例提供的封装方法中，m＝2，n＝1～6。

例如，本公开一实施例提供的封装方法包括：进行所述加热工艺，使所述有机材料层固化并使所述铝膜与所述有机材料层发生反应以形成所述铝碳层和所述有机层。

例如，本公开一实施例提供的封装方法中，所述进行加热工艺包括：进行真空加热工艺。