[发明专利]半导体掩模层的制作方法

权利要求书

1.一种半导体掩模层的制作方法，其特征在于，包含：

提供一第一材料层以及一第二材料层位于该第一材料层上，其上定义有一元件区以及一周边区；

形成多个牺牲层图案与多个间隙壁于该第二材料层上的该元件区内，其中每个间隙壁位于各该牺牲层图案的周围；

进行一第一蚀刻步骤，移除该牺牲层图案；

进行一第二蚀刻步骤，移除部分该第二材料层，且曝露部分该元件区的该第一材料层；以及

进行一第三蚀刻步骤，移除该元件区内的部分该第一材料层，以于该第一材料层中形成多个第一凹槽。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中该第三蚀刻步骤进行时，该周边区的该第一材料层未被蚀刻。

3.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二蚀刻步骤时，该周边区内的该第一材料层仍完全被该第二材料层所覆盖。

4.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一材料层的材质包含氮化硅(SiN)。

5.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二材料层的材质包含氮氧化硅(SiON)。

6.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二蚀刻步骤包含有氟甲烷(CH₃F)。

7.如权利要求1所述的制作方法，其中该第三蚀刻步骤包含有氧气(O₂)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO₂)、二氧化硫(SO₂)与碳硫氧(COS)。

8.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二蚀刻步骤进行时，产生部分的聚合物(polymer)沉积于该周边区的该第二材料层上。

9.如权利要求1所述的制作方法，其中该牺牲层图案形成时，同时在周边区形成一第一介电层。

10.如权利要求9所述的制作方法，其中第一介电层的一顶面与该牺牲层图案的一顶面切齐。

11.如权利要求9所述的制作方法，其中该第一介电层在该第一蚀刻步骤中被完全移除。

12.如权利要求1所述的制作方法，其中在该第三蚀刻步骤进行之后，还包含进行一第四蚀刻步骤，完全移除该周边区内的该第二材料层。

13.如权利要求12所述的制作方法，其中在该第三蚀刻步骤进行之后，元件区内产生的该多个第一凹槽的底面大致齐平。

14.如权利要求13所述的制作方法，其中在该第四蚀刻步骤进行之后，该周边区的该第一材料层的一顶面高于该元件区内各该第一凹槽的一底面。

15.如权利要求1所述的制作方法，在该第四蚀刻步骤进行后，还包含形成一第二介电层覆盖该元件区以及该周边区。

16.如权利要求1所述的制作方法，其中该元件区的该第二介电层具有一第一顶面，该周边区的该第二介电层具有一第二顶面，且该第一顶面与该第二顶面齐平。