[发明专利]蚀刻液组合物及蚀刻方法

说明书

本发明的课题在于提供能够在对Qz基板不造成破坏的情况下对MoSi膜进行选择性的蚀刻的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。一种用于对MoSi膜进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其中，包含少于3.5重量％的氟化合物、水和含碘氧化剂。

技术领域

本发明涉及用于对MoSi膜进行蚀刻处理的蚀刻组合物及使用该蚀刻组合物的蚀刻方法。

背景技术

MoSi膜是用于FPD光掩模的透射膜。MoSi膜的图案形成中，如图1所记载，需要以不对作为MoSi层的遮光膜的Cr层造成破坏的条件对MoSi膜进行蚀刻。

对于MoSi膜的图案形成中的高精细图案，成膜不良、图案形成不良的发生率高。Qz基板价格昂贵，因此进行使用MoSi蚀刻液的基板的再生。然而，该再生时的使用现有药液的处理如图2所记载，存在对Qz基板的破坏大的问题。

为了解决上述课题，要求对Qz基板的破坏少、可选择性除去MoSi膜的蚀刻液组合物。

专利文献1中揭示了可用于光致抗蚀剂掩模的硅蚀刻剂。该蚀刻剂为具有氟离子和氧原子源的pH为6～8.2的水溶液。

专利文献2中揭示了由含有含氧酸且pH为2.5以上的水溶液形成的蚀刻液。该是可以适合于对钼、硅、铝进行蚀刻。此外，记载了含氧酸采用高碘酸的情况下，不添加氨水时，产生生成作为副产物的碘的问题，而通过添加氨水使pH达到2.7以上，可抑制碘的生成。

此外，专利文献3中揭示了包含原高碘酸和水的半导体基板上的金属钨的除去液。记载了该除去液通过向原高碘酸中调节含量加入氢氟酸，抑制对Si和氧化硅、氮化钛的溶解而仅选择性除去钨。

专利文献4中记载了用于对MoSi膜进行湿法蚀刻的蚀刻液，记载了作为该蚀刻液，使用包含选自氢氟酸、氟硅酸、氟化氢铵的至少1种氟化合物和选自过氧化氢、硝酸、硫酸的至少1种氧化剂的蚀刻液。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开昭53-76139号公报

专利文献2:日本专利特开平11-293477号公报

专利文献3:日本专利特开2005-166924号公报

专利文献4:日本专利特开2007-256922号公报

发明的概要

发明所要解决的技术问题

本发明的课题在于提供可在不对Qz基板造成破坏的情况下对MoSi膜进行蚀刻的蚀刻液组合物，即，提供较好是MoSi膜的室温下的蚀刻速率为1.5nm/分钟以上、Qz基板的室温下的蚀刻速率为0.5nm/分钟以下、MoSi膜:Qz基板的蚀刻选择比为10:1以上的蚀刻液组合物。另外，本发明的另一课题在于提供蚀刻均一且对作为遮光膜的Cr没有破坏的蚀刻液组合物。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明人为了解决上述课题而进行探讨的过程中，面对了采用现有药液的处理对Qz基板的破坏大的问题。为了解决所述问题而反复认真探讨后，发现使用氧化剂采用含碘氧化剂的蚀刻液的情况下，对Qz基板的破坏少，可对MoSi膜进行选择性蚀刻，进一步进行研究后，完成了本发明。

即，本发明涉及以下内容。

[1]一种用于对MoSi膜进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其中，包含少于3.5重量％的氟化合物、水和含碘氧化剂。

[2]如[1]所述的蚀刻液组合物，其中，pH低于2.5。

[3]如[1]或[2]所述的蚀刻液组合物，其中，氟化合物为氟化氢、氟化铵、二氟化氢铵。