[发明专利]一种闪存颗粒筛选分级的方法

说明书

本发明公开了一种闪存颗粒筛选分级的方法，其特征在于通过温变检验法测试获得闪存颗粒每个块在不同温度条件下写入和不同温度下读取的原始比特错误率；采用对比分类法根据获取的原始比特错误率来判断每个Block的强弱等级，最后根据FLASH中强弱等级的Block的数量分布来区分NAND Flash等级。通过分离写，读的温度，一个给定温度写入后，在多个温度下进行读过程，收集Block的信息数据，可以有效的判断Block的原始比特错误率，从而精确地对Flash进行分类，满足SSD产品的需求。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种闪存颗粒筛选分级的方法。

背景技术

图1是典型的NAND Flash的组成示意图；通道DIE可独立并发操作的单元；一个DIE包括若干Block。块Block可独立擦除的单元，使用前必须要将整个Block擦除，每个Block包括若干Page。Page:读写单元。“坏块”指由于可靠性等原因，永久性不能使用的Block。

图2所示，传统方法筛选时，都是在恒定温度(高温或者低温)下进行读写操作来鉴别颗粒等级。开始筛选后先看环境温度是否在要求的环境温度下,如果不在则调整环境温度,开始对每个块进行读写操作,根据操作的结果判读块是否可用,所有Block完成检查后，根据检查的结果区分闪存颗粒等级。

图3是温度对NAND Flash的影响示意图：

A为低温敏感型颗粒：当写入的温度较低时，由于写入操作影响，原始比特错误率较高。随着温度增高，写入操作影响减弱。

B为高温敏感型颗粒：当在-5℃写入之后，读时的温度不同，原始比特错误率较高。同时随着温度增高影响越大，错误率升高。

现有一般技术方案，无法精确的区分每个Block的原始比特错误率，导致Flash分类存在误差，SSD产品的可靠性降低的问题。

发明内容

针对以上缺陷，本发明目的在于提高闪存颗粒筛选分级的精确性，特别是如何有效利用不同温区下闪存颗粒不同的温度特性。为了实现上述目的，本发明提供了一种闪存颗粒筛选分级的方法，其特征在于通过温变检验法测试获得闪存颗粒每个块在选定目标温度条件下写入，分别以不同温度下读取的原始比特错误率；采用对比分类法根据获取的原始比特错误率来判断每个块的强弱等级，最后根据FLASH中强弱等级的块的数量分布来区分FLASH等级；所述温变检验法具体为：

步骤5.1：开始筛选流程后，先设置目标写温度；

步骤5.2：对所有块写操作；

步骤5.3：设置目标读温度；

步骤5.4：目标块读检查，记录该块信息，至少记录该块的原始比特错误率；

步骤5.5：判断所有温区是否完成读检查，如果完成则继续向下处理；如果未完成，则跳转到步骤5.3设置新的目标读温度后继续执行；

步骤5.6：判断是否还有目标写温度需要测试，如果是则跳转到步骤5.1,否则继续执行；所述的对比分类法具体为：根据不同温区获得的每个块的原始比特错误率的高低进行块强弱等级划分，不同温区分别设置一个判断阈值，对应温区的块的原始比特错误率超过该温区对应的判断阈值的，则将该块归属到一个强弱等级上；对于不超过单个温区对应的判断阈值的，设定不同温区对比差值阈值，同一块对应不同温区的原始比特错误率差值超过该温区对应的对比差值阈值的，则将该块归属到另一个强弱等级上；剩余的单独归为一个强弱等级。

所述的闪存颗粒筛选分级的方法，其特征在于根据FLASH中分布在每个强弱等级的块的数量或多个强弱等级的块的数量和的分布来对FLASH分类。