[发明专利]晶圆缺陷的检测方法在审
申请号: | 201810276608.5 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108511359A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 罗聪 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 原始图像 晶粒 像素 圆心 尺寸信息 灰度图像 晶圆缺陷 连通区域 缺陷检测 人力成本 图像识别 灰度图 检测 量测 种晶 转化 制造 | ||
1.一种晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,所述晶圆缺陷的检测方法包括:
提供晶圆,对所述晶圆进行扫描以得到所述晶圆的原始图像;
将所述原始图像中的R、G、B三个分量的信息分别放在第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图中;
提取所述原始图像的圆心及所述晶圆中晶粒的像素宽度;
根据所述晶粒的像素宽度与所述晶粒的实际尺寸得到所述原始图像与所述晶圆的实际比例;
提取所述第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图的灰度交集,提取所述灰度交集的连通区域,所述连通区域为所述晶圆的缺陷;
获取所述连通区域的像素宽度,根据所述连通区域的像素宽度与所述实际比例确定所述缺陷的尺寸。
2.如权利要求1所述的晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,获取所述连通区域相对于所述圆心的位置,并结合所述实际比例确定所述缺陷在所述晶圆上的位置。
3.如权利要求1所述的晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,对所述原始图像进行边缘识别,以提取所述原始图像的圆心。
4.如权利要求1所述的晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,对所述第一灰度图、第二灰度图或第三灰度图中的任一图像进行边缘识别,以提取所述原始图像的圆心。
5.如权利要求3或4所述的晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,所述原始图像的圆心与所述晶圆的圆心重合。
6.如权利要求5所述的晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,提取所述第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图的灰度交集之前,所述晶圆缺陷的检测方法还包括:
对所述第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图进行平滑滤波。
7.如权利要求6所述的晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,提取所述第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图的灰度交集之后,所述晶圆缺陷的检测方法还包括:
对所述灰度交集进行去噪处理。
8.如权利要求7所述的晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,若所述灰度交集不具有连通区域,则所述晶圆合格。
9.如权利要求1所述的晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,所述晶圆包括底层晶圆和器件晶圆,所述底层晶圆和所述器件晶圆具有互相接触并重合的表面。
10.如权利要求9所述的晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,所述缺陷包括灰边缺陷和/或气泡缺陷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造