[发明专利]晶圆缺陷的检测方法

说明书

本发明提供了一种晶圆缺陷的检测方法，首先将晶圆的原始图像转化为R、G、B三个通道下的灰度图像，然后通过图像识别的方法得到所述原始图像的圆心及所述原始图像中每个晶粒所占的像素宽度，而所述晶粒的实际尺寸是在晶圆制造之前已经设计好的，其实际尺寸是已知的，获取所述每个晶粒所占的像素宽度后，可以得到所述原始图像与晶圆的实际比例，接着通过提取三幅灰度图连通区域的像素宽度及实际比例可以得到所述缺陷在晶圆上的尺寸，从而及时有效的获取晶圆上缺陷的尺寸信息，不需要通过人工去量测，降低了人力成本，提高了缺陷检测的效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆缺陷的检测方法。

背景技术

目前，现有的CMOS图像传感器的制造方法通常为：将一面形成有感光区域的器件晶圆与未形成有感光区域的底层晶圆经过磨边、CMP等工艺再进行键合成为一片CMOS晶圆，之后在CMOS晶圆上形成金属引线、彩色滤光片、微透镜、金属隔离栅等，最终形成完整的CMOS图像传感器。而在将所述器件晶圆与所述底层晶圆键合在一起的时候，容易产生灰边(chipping)和气泡(bubble)缺陷(defect)，在晶圆的后续制程中，灰边缺陷可能导致CMOS晶圆表皮脱落、铜析出等缺陷，直接污染机台，如果气泡缺陷破损可能会引起铜析出、刮伤等缺陷，使晶圆的良率降低，浪费大量资源。由于所述灰边缺陷不能解析，也无法量化，同时对气泡的解析也存在很大的误差。在所述晶圆出厂前会进行缺陷检测，而现有的晶圆缺陷的检测方法主要是依靠工程师用尺子手动的去量测，但是在测量的过程中，每个工程师可能选取的相对点都不一样，不同的工程师有不同的量测手法，因此，存在很大的人为误差，并且，采用人工测量的方法费时费力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷的检测方法，以解决现有技术中检测晶圆缺陷误差大并且费时费力等问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种晶圆缺陷的检测方法，所述晶圆缺陷的检测方法包括：

提供晶圆，对所述晶圆进行扫描以得到所述晶圆的原始图像；

将所述原始图像中的R、G、B三个分量的信息分别放在第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图中；

提取所述原始图像的圆心及所述晶圆中晶粒的像素宽度；

根据所述晶粒的像素宽度与所述晶粒的实际尺寸得到所述原始图像与所述晶圆的实际比例；

提取所述第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图的灰度交集，提取所述灰度交集的连通区域，所述连通区域为所述晶圆的缺陷；

获取所述连通区域的像素宽度，根据所述连通区域的像素宽度与所述实际比例确定所述缺陷的尺寸。

可选的，获取所述连通区域相对于所述圆心的位置，并结合所述实际比例确定所述缺陷在所述晶圆上的位置。

可选的，对所述原始图像进行边缘识别，以提取所述原始图像的圆心。

可选的，对所述第一灰度图、第二灰度图或第三灰度图中的任一图像进行边缘识别，以提取所述原始图像的圆心。

可选的，所述原始图像的圆心与所述晶圆的圆心重合。

可选的，提取所述第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图的灰度交集之前，所述晶圆缺陷的检测方法还包括：

对所述第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图进行平滑滤波。

可选的，提取所述第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图的灰度交集之后，所述晶圆缺陷的检测方法还包括：

对所述灰度交集进行去噪处理。

可选的，若所述灰度交集不具有连通区域，则所述晶圆合格。