[发明专利]半导体结构及形成方法、静态随机存取存储器及形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面具有平行设置的两个第一鳍部和初始隔离结构，所述初始隔离结构的顶部表面低于第一鳍部的顶部表面，且覆盖第一鳍部的部分侧壁，所述初始隔离结构包括位于各第一鳍部相对两侧且与第一鳍部接触的第一区和第二区，所述第一区位于相邻第一鳍部之间；所述第一鳍部为同一晶体管内部的鳍部；

以所述第一鳍部为掩膜，在所述第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子；

在所述第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子之后，去除部分初始隔离结构，形成隔离结构，所述第一鳍部侧壁第一区初始隔离结构的去除速率小于第二区初始隔离结构的去除速率，且所述第一鳍部侧壁第一区隔离结构的顶部高于第二区隔离结构的顶部；

在所述第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子之后，去除部分第一鳍部，在所述隔离结构内形成源漏开口。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，第一鳍部侧壁第一区隔离结构顶部与第一鳍部侧壁第二区隔离结构顶部的高度差为：1纳米～5纳米；所述第一鳍部侧壁第一区隔离结构顶部到源漏开口底部的距离为：2纳米～4纳米；所述第一鳍部侧壁第二区隔离结构顶部到源漏开口底部的距离为：1纳米～3纳米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子包括：氮离子、硼离子或者氟离子。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一鳍部侧壁第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子之前，所述形成方法还包括：在所述基底表面形成光刻胶，所述光刻胶暴露出第一区和第二区的基底表面、以及第一鳍部的侧壁和顶部表面；在所述第一鳍部侧壁第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子的方法包括：以所述光刻胶和第一鳍部为掩膜，在所述第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述光刻胶和第一鳍部为掩膜，在所述第一鳍部侧壁第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子的工艺包括：离子注入工艺；所述离子注入工艺的参数包括：掺杂离子为氮离子时，注入剂量为5e13原子数/平方厘米～1e15原子数/平方厘米，注入能量为0千电子伏～5千电子伏，注入角度为15度～30度。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述光刻胶和第一鳍部为掩膜，在所述第一鳍部侧壁第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子的步骤包括：在第一区初始隔离结构顶部形成掺杂层，所述掺杂层内具有掺杂离子；进行退火处理，使掺杂离子进入初始隔离结构内。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构和源漏开口的形成方法包括：去除部分第一鳍部，在初始隔离结构内形成初始源漏开口；形成初始源漏开口之后，去除部分初始隔离结构，形成所述隔离结构，位于所述隔离结构内的初始源漏开口为源漏开口。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构之后，形成所述源漏开口。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏开口之后，所述形成方法包括：以所述隔离结构为掩膜，在所述源漏开口内形成第一外延层；在所述第一外延层内掺入第一源漏离子，形成第一源漏掺杂区；在所述基底表面、第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面、以及第一栅极结构的侧壁和顶部表面形成介质层；去除部分所述介质层，直至暴露出第一源漏掺杂区的顶部表面，在所述介质层内形成接触孔；在所述接触孔内形成插塞，所述插塞充满接触孔。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，部分第一外延层位于第一区内，部分第一外延层位于第二区内；沿第一鳍部的宽度方向上，第一区第一外延层的尺寸小于第二区第一外延层的尺寸。