[发明专利]半导体结构及形成方法、静态随机存取存储器及形成方法

说明书

一种半导体结构及形成方法、以及静态随机存取存储器及形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底表面具有平行设置的两个第一鳍部和初始隔离结构，初始隔离结构顶部低于第一鳍部顶部，且覆盖第一鳍部部分侧壁，初始隔离结构包括位于各第一鳍部相对两侧且与第一鳍部接触的第一区和第二区，所述第一区位于相邻第一鳍部之间；以所述第一鳍部为掩膜，在第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子；在第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子之后，去除部分初始隔离结构，形成隔离结构，且第一鳍部侧壁第一区隔离结构顶部高于第二区隔离结构顶部；去除部分第一鳍部，形成源漏开口。所形成的器件性能好。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法、以及静态随机存取存储器的结构及其形成方法。

背景技术

随着数字集成电路的不断发展，片上集成的存储器已经成为数字系统中重要的组成部分。静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)以其低功耗、高速的优点成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分。静态随机存取存储器只要为其供电即可保存数据，无需不断对其进行刷新。

基础静态随机存取存储器一般包括六个晶体管：2个上拉晶体管(Pull-uptransistor，PU)、2个下拉晶体管(Pull-down transistor，PD)以及2个传输晶体管(Pass-gate transistor，PG)。在静态随机存取存储器的神经过程中，通常要保证足够大的β比率(Ipd/Ipg电流比)，以获得足够高的静态噪声容限(Static-noise Margin，SNM)，同时要求γ比率(Ipg/Ipu电流比)足够大，以获得良好的可写性(Writability)。因此，对于传输晶体管性能的不同要求，造成静态随机存取存储器的可写性与读取稳定性之间的冲突。

然而，现有技术形成的静态随机存取存储器性能仍较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种静态随机存取存储器及其形成方法，以提高静态随机存取存储器的性能。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面具有若干第一鳍部和初始隔离结构，所述初始隔离结构的顶部表面低于第一鳍部的顶部表面，且覆盖第一鳍部的部分侧壁，所述初始隔离结构包括位于各第一鳍部相对两侧且与第一鳍部接触的第一区和第二区，所述第一区位于相邻第一鳍部之间；以所述第一鳍部为掩膜，在所述第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子；在所述第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子之后，去除部分初始隔离结构，形成隔离结构，所述第一区初始隔离结构的去除速率小于第二区初始隔离结构的去除速率，且所述第一区隔离结构的顶部高于第二区隔离结构的顶部；在所述第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子之后，去除部分第一鳍部，在所述隔离结构内形成源漏开口。

可选的，第一鳍部侧壁的第一区隔离结构顶部与第一鳍部侧壁的第二区隔离结构顶部的高度差为：1纳米～5纳米；所述第一鳍部侧壁的第一区隔离结构顶部到源漏开口底部的距离为：2纳米～4纳米；所述第一鳍部侧壁的第二区隔离结构顶部到源漏开口底部的距离为：1纳米～3纳米。

可选的，所述掺杂离子包括：氮离子、硼离子或者氟离子。

可选的，在所述第一鳍部侧壁第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子之前，所述形成方法还包括：在所述基底表面形成光刻胶，所述光刻胶暴露出第一区和第二区的基底表面、以及第一鳍部的侧壁和顶部表面；在所述第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子的方法包括：以所述光刻胶和第一鳍部为掩膜，在所述第一鳍部侧壁的第一区初始隔离结构顶部掺入掺杂离子。