[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一有源区域和第二有源区域，所述第一有源区域和所述第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉所述第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中所述第一有源区域和所述第二有源区域在所述第二方向上彼此完全地重叠；

第三有源区域，其在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上与所述第一有源区域间隔开，其中所述第一有源区域在所述第二方向上定位在所述第二有源区域与所述第三有源区域之间，并且所述第一有源区域和所述第三有源区域在所述第二方向上部分地重叠；

器件隔离膜，其被构造为限定所述第一有源区域至所述第三有源区域，其中所述器件隔离膜包括定位在所述第一有源区域与所述第二有源区域之间的第一器件隔离膜以及定位在所述第一有源区域与所述第三有源区域之间的第二器件隔离膜，所述第一器件隔离膜在所述第二方向上的宽度小于所述第二器件隔离膜在所述第二方向上的宽度；以及

栅极结构，其形成在所述第一有源区域至所述第三有源区域上并且在所述第二方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

形成在所述第一有源区域中的第一源极区域和第一漏极区域；以及

形成在所述第三有源区域中的第二源极区域和第二漏极区域，

其中所述第一源极区域和所述第一漏极区域在所述第一方向上按与所述第二源极区域和所述第二漏极区域设置的次序相反的次序设置。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间的所述第一有源区域在所述第二方向上与所述第二源极区域与所述第二漏极区域之间的所述第三有源区域仅部分地重叠。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括形成在所述第二有源区域中的第三源极区域和第三漏极区域，其中所述第一源极区域和所述第一漏极区域在所述第一方向上按与所述第三源极区域和所述第三漏极区域设置的次序相同的次序设置。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间的所述第一有源区域在所述第二方向上与所述第三源极区域与所述第三漏极区域之间的所述第二有源区域完全地重叠。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

分别形成在所述第一源极区域和所述第二源极区域上的第一源极接触和第二源极接触；以及

分别形成在所述第一漏极区域和所述第二漏极区域上的第一漏极接触和第二漏极接触，其中所述第一源极接触在所述第二方向上的长度大于所述第一漏极接触在所述第二方向上的长度，以及

所述第二源极接触在所述第二方向上的长度大于所述第二漏极接触在所述第二方向上的长度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极结构包括：

第一部分，其在所述第二方向上在所述第一有源区域和所述第二有源区域上延伸；

第二部分，其在所述第二方向上在所述第三有源区域上延伸；以及

第三部分，其连接所述第一部分和所述第二部分并且形成在所述第一有源区域和所述第三有源区域上，其中所述第三部分在所述第一方向上的宽度大于所述第一部分和所述第二部分在所述第一方向上的宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

形成在所述第一有源区域中的第一源极区域和第一漏极区域；以及

形成在所述第三有源区域中的第二源极区域和第二漏极区域，

其中所述第一部分在所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间在所述第二方向上延伸，以及

所述第二部分在所述第二源极区域与所述第二漏极区域之间在所述第二方向上延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一部分包括第一凸出部分，所述第一凸出部分在其中定位所述第一漏极区域的方向上凸出并且在所述第二方向上形成在所述第一漏极区域的侧表面上，以及

所述第二部分包括第二凸出部分，所述第二凸出部分在其中定位所述第二漏极区域的方向上凸出并且在所述第二方向上形成在所述第二漏极区域的侧表面上。