[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域在第二方向上彼此重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开。第一有源区域在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区之间。第一有源区域和第三有源区域在第二方向上部分地重叠，并且器件隔离膜被构造为限定第一有源区域至第三有源区域。

技术领域

本公开涉及半导体器件。

背景技术

伴随着半导体器件的增加的集成密度，PMOS晶体管的热电子诱发穿通(HEIP)现象增加。PMOS晶体管使用空穴作为载流子，并且由于空穴而附带产生热电子。这样的热电子能被引入到与沟道相邻的栅极绝缘膜中，并且反转PMOS晶体管的沟道，因而导致减小的沟道长度。因此，有效沟道长度减小，并且上述不希望的沟道反转现象导致诸如在关断时刻增大的泄漏电流、随后增加的功耗、降低的操作速度和减小的击穿电压的问题。

发明内容

根据本发明构思的一方面，提供一种半导体器件，其包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域布置为在第二方向上彼此完全地重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开，其中第一有源区域在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区域之间，并且第一有源区域和第三有源区域布置为在第二方向上仅部分地重叠；器件隔离膜，其被构造为限定第一有源区域至第三有源区域，其中器件隔离膜包括定位在第一有源区域与第二有源区域之间的第一器件隔离膜以及定位在第一有源区域与第三有源区域之间的第二器件隔离膜，并且第一器件隔离膜在第二方向上的宽度小于第二器件隔离膜在第二方向上的宽度；以及栅极结构，其形成在第一有源区域至第三有源区域上并且在第二方向上延伸。

根据本发明构思的另一方面，提供一种半导体器件，其包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域布置为在第二方向上彼此完全地重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开，其中第一有源区在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区之间，并且第一有源区域和第三有源区域布置为在第二方向上仅部分地重叠；器件隔离膜，其被构造为限定第一有源区域至第三有源区域，其中器件隔离膜包括定位在第一有源区域与第二有源区域之间的第一器件隔离膜以及定位在第一有源区域与第三有源区之间的第二器件隔离膜，第一器件隔离膜包括第一衬垫和形成在第一衬垫上的第一绝缘膜，第二器件隔离膜包括第二衬垫、形成在第二衬垫上的第三衬垫以及形成在第二衬垫上的第二绝缘膜。

根据本发明构思的又一方面，提供一种半导体器件，其包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域布置为在第二方向上彼此完全地重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开，其中第一有源区域在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区域之间，并且第一有源区域和第三有源区域布置为在第二方向上仅部分地重叠；器件隔离膜，其被构造为限定第一有源区域至第三有源区域；以及栅极结构，其形成在第一有源区域至第三有源区域上并且在第二方向上延伸，其中栅极结构包括在第二方向上在第一有源区域和第二有源区域上延伸的第一部分、在第二方向上在第三有源区域上延伸的第二部分、以及连接第一部分和第二部分并且形成在第一有源区域和第三有源区域中的第三部分，第三部分在第一方向上的宽度大于第一部分和第二部分在第一方向上的宽度。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示例性实施方式，本公开的以上及另外的目的、特征和优点对本领域普通技术人员将变得更加明显。

图1是示出根据一些示例性实施方式的半导体器件的布局的框图。