[发明专利]反应腔室内的工艺套件及反应腔室

说明书

本发明提供一种反应腔室的工艺套件，包括：绝缘环，耦接到所述基座并环绕所述基座的外周壁；第一屏蔽环，耦接到所述绝缘环并环绕所述绝缘环的外周壁，且接地；溅射环，承载于所述基座和所述绝缘环的上表面上；遮蔽环，在被所述第一屏蔽环支撑时，其内环区域置于所述第一屏蔽环上且与所述溅射环间设有预设间隙，所述预设间隙用于防止甚高频信号自所述预设间隙泄露。本发明还提供一种反应腔室，在一定程度上避免该空间出现腔室亮点的问题、造成甚高频功率的浪费且影响工艺质量。

技术领域

本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种反应腔室的工艺套件及反应腔室。

背景技术

为获得更好质量的氮化钛(TiN)薄膜，一般需要在靶材上同时加载直流(DC)和甚高频(Very high frequency简称VHF)信号，其中，甚高频一般是指频带范围在30MHz～300MHz的无线电电波。借助靶材上所加载的负电压的直流DC能够在磁场的辅助作用下，离化腔室内气体产生等离子体，并吸引其中的正离子轰击靶材进行溅射沉积工艺；

而引入甚高频信号能够进一步促进气体的离化率，最终获得更加致密的沉积薄膜。

图1为现有的反应腔室的结构示意图，图2为图1中的局部区域I的放大图，请一并参阅图1和图2。该反应腔室包括腔体10、工艺套件和基座30，其中，基座30设置于腔体10内，用于承载基片，并可对其上的基片进行加热，且基座30安装于腔体10的底壁上，可在驱动装置(图中未示出)的驱动下进行升降，以在工艺位与图1和图2所示的非工艺位置的转换，工艺位和非工艺位置处的靶基距(即靶材40与基座30之间的距离)不同；工艺套件包括第一绝缘环201、第一屏蔽环207、腔室转接件203、遮蔽环205、第二绝缘环206、第二屏蔽环202、溅射环208，其中，腔室转接件203通过密封圈密封固定在腔体10的顶壁上；第一绝缘环201固定在腔室转接件203上，靶材40固定在第一绝缘环201上；第二屏蔽环202安装在腔室转接件203上，第二屏蔽环202的上端接近靶材40的底端设置，且第二屏蔽环202的下端具有朝向腔室中心延伸的环形悬臂；基座30通有射频信号，第一屏蔽环207环绕基座30的外周壁设置，以屏蔽基座30上的射频信号；第二绝缘环206设置在基座30和第一屏蔽环207之间，用于将二者隔离；溅射环208固定在基座30的边沿区域和第二绝缘环206上，且与第一屏蔽环207有一定的垂直间隙，溅射环206用于遮挡基座30和第二绝缘环206之间的间隙；在基座30处于图1和图2中所示位置时，遮蔽环205的外圈部分搭接在第二屏蔽环202的悬臂上，内环部分搭接在溅射环208上，遮蔽环205用于遮挡等离子体朝向基座30下方腔室移动的路径以及遮挡第二屏蔽环202上的进气孔，进气口用于向反应腔室内通工艺气体；当基座30自图1和图2所示位置上升至工艺位时可带动遮蔽环205一起上升。

采用上述反应腔室在实际应用中发现如下问题：甚高频会泄露到腔室下方，容易出现腔室亮点的问题，从而造成甚高频功率的浪费且进一步影响后续工艺质量。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室的工艺套件和反应腔室，可以在一定程度上避免该空间出现腔室亮点的问题、造成甚高频功率的浪费且影响工艺质量。

为解决上述问题之一，本发明提供了一种反应腔室的工艺套件，包括：

绝缘环，耦接到所述基座并环绕所述基座的外周壁；

第一屏蔽环，耦接到所述绝缘环并环绕所述绝缘环的外周壁，且接地；

溅射环，承载于所述基座和所述绝缘环的上表面上；

遮蔽环，在被所述第一屏蔽环支撑时，其内环区域置于所述第一屏蔽环上且与所述溅射环间设有预设间隙，所述预设间隙用于防止甚高频信号自所述预设间隙泄露。